国家知识产权局信息显示，上海雅创芯和微电子有限公司申请一项名为“具有横向寄生结构的HVMOS及制备方法”的专利，公开号CN122641045A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种具有横向寄生结构的HVMOS及制备方法，属于半导体技术领域，包括：P型衬底；N型埋层，形成于P型衬底的表面；P型外延层，形成于N型埋层的表面；多个高压N阱，形成于P型外延层中；其中，各高压N阱表面均形成有N阱，且各N阱的表面均形成有第一N型重掺杂区；相邻两个高压N阱之间均形成一P型有源区，一个有源区的第一P阱的表面形成有第一P型重掺杂区，相邻的有源区的第二P阱的表面形成有第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；第二P型重掺杂区、第二N型重掺杂区、以及一第一N型重掺杂区电连接作为第一电极，第一P型重掺杂区作为第二电极。本申请结构形成极低阻抗路径进行电流泄放，缓解芯片发热及烧片。

天眼查资料显示，上海雅创芯和微电子有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海雅创芯和微电子有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息3条。

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作者：情报员