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据韩国媒体报道，现在，1公斤韩国产DRAM芯片可以买到620克黄金。DRAM的出口单价已较3年7个月前的低点上涨了12.5倍。黄金价格近期也因美国国债收益率下降和美元走软而飙升，同期上涨了2.4倍，但仍落后于DRAM的涨幅。目前，DRAM的出口单价是同等重量铂金价格的1.53倍，是白银价格的41.7倍。
价格已攀升至前所未有的水平，但一些人认为，明年内存短缺的情况可能会更加严重。全球投资银行高盛预计，DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大到明年的 5.9%。与此前的预测相比，今年的缺口分别上调了 0.1 个百分点和 3.4 个百分点。分析指出，用于人工智能 (AI) 服务器的高带宽内存 (HBM) 和高容量服务器 DRAM 正在消耗有限的产能，即使是普通 DRAM 的供应也趋于紧张。
据韩国贸易统计促进院（TRASS）26日发布的数据显示，本月1日至20日，DRAM（不含DRAM模块）出口单价为每公斤92,183美元（约合1.274亿韩元），较去年同期增长401.0%；同期出口额增长504.8%，达到98.0662亿美元（约合13.56万亿韩元）。投资研究公司Citrini Research对韩国DRAM出口统计数据的分析显示，目前DRAM出口单价较2023年1月的每公斤约7,400美元（约合1020万韩元）上涨了约12.5倍。
DRAM价格，仍在快速上涨
DRAM 的价格不能像黄金或白银等原材料那样仅凭重量来估价。DRAM 的价格会因产品代数、数据传输速度、存储容量和其他性能因素而有很大差异。随着工艺的精细化和集成度的提高，相同尺寸的芯片能够存储的数据量也随之增加。
与2023年初出口单价触底时相比，如今的主流产品存储容量也更大。当时，市场调研公司TrendForce将DDR4 8Gb（千兆）作为现货市场的主流产品。而现在，TrendForce用来衡量“主流DRAM现货价格”的基准产品是DDR5 16Gb（2G×8）4800和5600。代表性产品的容量已经从8Gb（1GB）翻了一番，达到16Gb（2GB）。
然而，一些人认为，近期DRAM出口单价上涨难以仅用产品升级来解释。一位半导体行业人士表示：“随着工艺的精细化和集成度的提高，尺寸相近的芯片可以容纳更多的数据，因此产品升级本身就能提高单位重量的价值。”但他补充道：“很难精确比较三四年前和现在的单位重量存储容量，但即使考虑到这一点，近期内存价格的上涨幅度仍然很大。”
据韩国银行数据显示，7月份DRAM出口价格同比上涨270.3%。美国美光科技也表示，其2026财年第三季度DRAM平均售价（ASP）环比上涨60%左右。
全球投资银行和存储器制造商表示，DRAM短缺问题难以迅速解决。高盛预测，明年的供需状况将比今年更加紧张，短缺情况将持续到2028年。
HBM需求激增被认为是造成内存短缺的原因。高盛预计，明年全球HBM市场规模将比今年增长108%。随着人工智能加速器需求的快速增长，内存公司必须分配给HBM的DRAM产能也在相应增长。
HBM 由多个 DRAM 芯片堆叠而成，与普通 DRAM 相比，生产相同容量的 HBM 需要更高的晶圆产能。随着越来越多的产能转向用于 AI 加速器的 HBM，用于 PC、智能手机和通用服务器的 DRAM 产能就会减少。
TrendForce预计，到明年年底，HBM将占三星电子、SK海力士和美光这三大厂商DRAM晶圆总投入量的30%，而其比特供应量占比仅为13%。即使产能投入显著增加，实际比特供应量的增长也相对较小。
存储器公司正在扩大产能，但新工厂投产需要时间才能转化为实际的供应增长。TrendForce 表示，由于新工厂的投产和工艺稳定需要时间，而且对 HBM 和服务器 DRAM 的需求持续增长，明年供应可能仍难以满足需求。
存储器厂商的展望也大同小异。今年6月，美光科技表示，受人工智能相关需求和结构性供应限制的影响，DRAM和NAND闪存供应紧张的局面将持续到2027年以后。SK海力士总裁郭鲁正上个月也表示，从供应方面来看，2027年可能是存储器行业历史上供应短缺最严重的一年。
一位半导体行业官员表示：“随着内存短缺加剧，英伟达和一些云服务提供商 (CSP) 甚至正在考虑调整下一代 AI 加速器中 HBM 的配置或安装量。”他补充道：“展望未来，短缺持续时间将取决于 HBM 产能扩张对通用 DRAM 供应的限制程度、新增产能何时真正转化为出货量，以及高价是否会抑制需求。”
内存瓶颈，加剧恶化
美光HBM设计架构研究员Raghu Sreeramaneni在日前的Hot Chips 2026大会上表示，HBM相对于DDR5的硅片损耗随着每一代产品的迭代都在增加，如果不牺牲性能，这种损耗是无法弥补的，而美光绝不会这样做。当被问及新一代产品是否能缩小差距时，他表示“情况肯定不会好转”，目前相同容量下，HBM的晶圆面积大约是DDR5的三倍。正是这种趋势导致今年PC内存价格创下历史新高，预计2026年第一季度传统DRAM合约价格将环比上涨90%至95%。
HBM4芯片可容纳256个存储体，而DDR5芯片仅可容纳32个。HBM4通过并行运行这些存储体来实现其带宽，这需要更大的芯片面积来容纳数据通路、供电电路以及连接各层芯片与基片的硅通孔（TSV）。单个HBM3E芯片可提供256 GB/s的带宽，而单个DDR5芯片的带宽约为8 GB/s，因此，要达到相同的比特数，HBM芯片的尺寸要大得多。
美光公开表示，HBM 的额外开销约为DDR5 晶圆面积的三倍。Sreeramaneni 指出，这是由于 HBM3E 与 DDR5 之间的差异造成的，而且随着每一代产品引脚速度、存储体数量、堆叠高度和芯片尺寸的提升，这种差异也在不断扩大。他称 HBM“可能是我们制造的跨功能最复杂的解决方案”，并指出在双 GPU 封装中，内存占用了约 90% 的硅片面积，大约是 GPU 芯片面积的八倍。HBM 的单价已经是 DDR5 的五倍左右，因此，制造商每将晶圆转向 HBM，就会从市场上移除不成比例的通用内存，从而推高消费产品的价格。
2026年第一季度，传统DRAM合约价格环比上涨90%至95%，第二季度又上涨58%至63%。为了更直观地理解这一涨幅，本月一套主流的32GB DDR5-6000内存套装售价约为392美元，而一年前的价格仅为110至140美元；128GB DDR5内存的价格更是超过3399美元，在过去12个月中上涨了500%，其中欧洲市场的价格自去年9月以来更是上涨了345%。今年2月，惠普告诉投资者，DRAM目前占其PC制造成本的35%，高于上一季度的15%至18%。Gartner预计，到2026年，PC出货量将下降超过10%。虽然第三季度这一增幅确实有所放缓至13%至18%，但这并非因为供应改善，而是因为消费电子产品制造商已达到其成本转嫁的上限。
美光的演示表明，计算性能大约每两年提升三倍，而HBM带宽提升不到两倍。Sreeramaneni总结道：“内存瓶颈依然存在，而且实际上可能还在恶化。”HBM4将主机接口数量翻倍至2048个I/O，美光的产品每引脚传输速度超过11 Gb/s，每个堆栈的传输速度超过2.8 TB/s，远超JEDEC HBM4标准中8 Gb/s和2 TB/s的基准值。
这些收益均源于更高的并行度，这再次扩大了芯片面积并提高了硅片比例。Sreeramaneni 表示，“实现 16 层 DRAM 是一条不错的途径”，但“16 层之后，仍有许多工作要做”。与此同时，SK 海力士在其 Hot Chips 大会上提出了775 微米的总厚度上限，这限制了堆叠厚度，直到业界采用混合键合技术为止。SK 海力士预计在 HBM5 发布之前不会采用混合键合技术。美光的 HBM4E 预计将于 2027 年左右推出，它将逻辑基础芯片转移到台积电的代工工艺，这是随着 AI 工作负载日益碎片化而向定制化转变的更广泛趋势的一部分。Sreeramaneni 用“解耦是现在的流行语”来形容这种转变。
由于底层芯片位于堆叠结构的底部，承担着最高速度的接口工作，而散热器则位于顶部，因此底层芯片的温度最高。底层芯片和散热器之间每增加一层，热阻都会增加。Sreeramaneni 表示，美光现在“围绕散热来设计解决方案，而不是反过来”，这与几年前的做法截然相反。美光强调，Meta 的 Llama 3 报告指出，在对 16,384 颗 H100 GPU 进行为期 54 天的测试中，17.2% 的意外中断是由 HBM3 显存引起的，这是导致 GPU 故障的第二大原因，其可靠性负担会随着每个封装中 HBM 显存容量的增加而增加。
SK海力士目前在HBM市场占据领先地位，据Counterpoint Research估计，其市场份额约为58%，低于此前约69%的峰值。美光去年超越三星位居第二。今年早些时候，美光开始为英伟达的Vera Rubin平台批量出货36GB 12层HBM4内存。英伟达CEO黄仁勋在6月份表示，这三家供应商均已通过认证并投入生产。
分析师预计，到今年年底，DDR5的单片利润将超过HBM3E，届时，服务器DRAM的单片利润几乎与DDR5相当，三大厂商几乎没有理由再增加通用产能。SK海力士去年10月表示，其2026年的产能已全部售罄；而Apacer首席执行官则告诉投资者，明年对独立模块制造商的供应量可能降至2026年总量的30%。SK海力士首席执行官郭鲁正称，2027年将是内存供应史上最糟糕的一年，需求将持续超过产能，这种情况将持续到2030年。
作为回应，英伟达已将其DGX Spark台式机的价格从3999美元提高到4699美元，并警告大型客户，AI服务器的价格涨幅可能超过15%，这两项涨幅都与内存有关。实际上，这种压力只有在三种情况下才会缓解，而这三种情况在新的晶圆厂产能上线并扩大规模之前都不太可能发生：中国CXMT公司大规模生产具有竞争力的DDR5内存；混合键合技术在HBM5之前出现（SK海力士几乎已经排除了这种可能性）；或者DDR5的利润率回落到HBM之下。
存储，还能回到过去吗？
同样是在半导体市场研究公司 Objective Analysis 的总经理Jim Handy在当天上午的内存教程中，概述了 DRAM、HBM 和闪存市场的现状，为随后关于高带宽内存和高带宽闪存的演讲奠定了基础。
我们将分别深入探讨美光科技、三星、SK海力士、d-Matrix、Meta Platforms和Oxmiq Labs的所有技术演示，但和Handy一样，我认为重要的是要冷静看待DRAM和闪存目前出现的绝对高得离谱的价格，因为我们正面临着巨大的需求冲击和供应短缺的正面冲突。
罪魁祸首是超大规模数据中心和云平台建设者，他们渴望成为训练日益强大的GenAI模型的平台，并在这些模型投入生产环境运行时，承担大部分推理工作。这推动了HBM和GPU/XPU的蓬勃发展，以及DRAM和闪存等辅助设备的激增。此外，智能体AI的兴起也需要大量的CPU，以及一些DRAM和闪存，才能使其适用于创建沙箱环境。在沙箱环境中，会生成大量可能质量低劣的Python代码来执行我们赋予智能体的任务，同时也会生成其他平台的代码，用于应用程序的现代化改造，或者从零开始构建。
以下是 Handy 公司统计的从 2021 年初到今年第二季度的支出情况：
这张图表最让我感兴趣的是，中国最大的超大规模云服务商，其在人工智能领域的投入与美国四大科技巨头相比，简直微不足道。这四大巨头分别是亚马逊网络服务（AWS）、谷歌（Alphabet 本身并不进行投资，而是其搜索引擎、广告和云部门在进行投资）、微软 Azure 和 Meta Platforms。而苹果公司虽然使用人工智能技术，但并不研发人工智能，其在图表中几乎只占一线。事实上，苹果公司在 2026 年对人工智能的资本投入甚至低于过去五年的总和。
我的意思是，如果你能出售人工智能获利，而不用进行资本投资，那就去做吧。
由于超大规模数据中心和云服务提供商的需求，以及企业、政府和学术界为提升后台办公、网络基础设施和数据分析计算效率而进行的新一轮投资，为人工智能（GenAI）系统铺平了道路，各种存储设备的价格，甚至包括被科技巨头用作近乎冷存储的硬盘驱动器，都在飞速上涨。因此，正如Handy汇总的五大内存和闪存制造商的收入数据所示，它们赚得盆满钵满：
回顾2022年末和2023年初的内存和闪存崩溃，讽刺的是，当时GenAI（人工智能世代）才刚刚起步。如果GenAI的繁荣持续下去——我看到的所有预测都认为它至少会增长到2030年，而且短缺至少会持续到那时——那么就没有理由相信收入会一直以线性速度增长。
“它们都是在同一条生产线上生产的，”Handy向聚集在一起的 Hot Chips 众多员工解释道，他指的是闪存、DRAM 和 HBM。 “正因如此，DDR 和所有 NAND 闪存的价格都疯涨，带来了巨额利润。巨额利润的真正原因在于它们是商品。基本上，你可以从供应商 ABC 购买 NAND 闪存，而且转换非常容易。这就是商品的特性。你并不真正关心制造商；你主要关心的是你能拿到什么样的价格。但这同时也意味着，当出现短缺时，制造商根本不在乎你。他们可能会说，好吧，我们和这家公司合作了一段时间，但他们总是拖欠货款，而且我们还能从那边拿到更高的价格，所以他们选择了更高的价格，因此你会看到现货市场的价格上涨了大约七倍，虽然这并不是一个很好的指标，但它很容易衡量，所以我把它列在这里。”
现货价格是一种平均值，而所有生产集成内存（无论是HBM还是LPDDR5X DRAM）的系统或芯片的厂商都在自行协商价格和供货量。根据这些因素，有些厂商的供货价格优于现货价格，有些则劣势明显。
例如，在深度学习时代和人工智能蓬勃发展初期，英伟达多年来一直是HBM内存的最大买家，因此在很大程度上控制着HBM的价格。（更多相关内容，请参阅2024年2月发布的《谁能为HBM内存支付最高价格，谁就掌控着人工智能训练》。）但现在，得益于其定制XPU业务，博通已成为继英伟达和AMD之后的第三大HBM内存买家，并且拥有足够的财力（主要基于价格）代表众多人工智能硬件初创公司参与HBM产能的竞争。如果没有博通和Marvell等公司的帮助，这些初创公司根本无法获得芯片蚀刻和封装服务。
因此，由于2026年的GPU组件早已售罄，且2027年底前的组件配额也几乎肯定已经用完，据彭博社报道，英伟达警告明年购买“Grace-Blackwell”和“Vera-Rubin”NVL72系统的客户，价格将上涨15% 。我推测英伟达已在其合同中加入了灵活的定价条款，以便将不断上涨的HBM、DRAM和闪存成本转嫁给ODM和OEM客户，而这些客户最终会将成本转嫁给系统买家。我惊讶于此次涨幅竟然没有更高。
英伟达的业务增长速度取决于其HBM显存的供应量，这与其他GPU和XPU制造商一样。如果显存制造商和英伟达不想面临反垄断诉讼，英伟达就必须确保其竞争对手能够获得足够的产能。一般来说，美国司法部历来将85%或更高的收入或出货量市场份额作为认定垄断的门槛，但如今，真正重要的是特朗普总统在特定时刻对你的企业有何看法。
业界需要做的是找到加速加速器的方法，我们看到，目前正在出现的趋势包括：采用外部闪存、DPU驱动的KV缓存存储层；在HBM基片上添加计算功能；以及在内存子系统中添加计算功能——即所谓的内存内处理（Processing In Memory，简称PIM），我们在The Next Platform上已经多次撰文介绍过。Handy也认同这一观点，他指出，通信通道的带宽需求与连接两个计算设备的通道两端的智能体数量成反比。
“为了突破内存瓶颈，我们可能会朝着拥有更智能的内存芯片的方向发展，这将最终减少需要发送到处理器的流量，”Handy在开幕主题演讲中说道。这意味着处理器可能会指示内存进行排序，内存自行完成排序，然后返回结果并表示完成，之后处理器再指示内存顶部存储的内容，内存返回一个字节，任务就此结束。如果没有内存芯片内部的智能，这将会涉及大量的通信。因此，我预计人工智能将渗透到各个领域。人工智能可以在微控制器上实现，我认为人们正在探索一种新的思维方式，他们会说：“哦，你知道，它在这里似乎运行良好。让我们在那里也试试。”这在以前是人们从未做过的事情。人们并没有做好接受它的准备，所以我预计人工智能将应用于所有终端。我预计它将出现在通信通道中，并最终达到人为控制的程度。
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