本文来源：时代周报 作者：宋逸霆 韩迅
8月31日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）如期在无锡太湖国际博览中心举行。
当前，人工智能、先进制造、先进封装等技术加速演进，半导体产业链协同的重要性持续凸显。在本届CSEAC展会中，北方华创（002371.SZ）、中微公司（688012.SH）、拓荆科技（688072.SH）等1400余家海内外企业参展，数百位行业专家和产业大咖同台论道，聚焦先进工艺、核心装备、AI赋能制造等议题。
整体来看，我国半导体设备行业在近年来取得了突飞猛进的发展。美国顶级投行高盛于8月24日发布第四期全球半导体芯片研究《中国半导体国产化进程持续推进》。报告指出，截至今年6月，中国半导体集成电路产量自给率已达到70%，较2010年1月的38%几乎翻倍。
高自给率离不开国产半导体设备的快速发展，中国半导体设备国产化率正在稳步提升。高盛预测，2027年中国晶圆制造设备市场规模将达到530亿美元；按产值统计，本土企业市占率将从去年26%提升至2028年的38%。
时代周报记者8月31日参观了多家头部国产半导体设备厂商展台，发现国产刻蚀、薄膜沉积等设备已大幅缩小与国际头部厂商的差距。
刻蚀新品不断
走进中微公司展区，时代周报记者发现有多款设备模型陈列在展台上。中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀应用。
据中微公司宣传册，公司等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户，覆盖诸多先进工艺的芯片加工制造及封装；公司在LPCVD、ALD、PVD、PECVD和EPI设备等领域取得了诸多突破及进展；此外，公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据优势地位。
值得注意的是，中微公司新产品发布速度令人惊艳。在今年3月的SEMICON展会期间，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士接受媒体专访时表示：“目前中微公司已有37种刻蚀和薄膜等成熟设备，覆盖集成电路关键设备的30%。”
而在中微公司半年报中，公司表示已开发出54种高端半导体设备。如今，中微公司展区内工作人员称：“在9月1日的发布会上，公司还会发布6款新设备。这个是全新的设备，老设备迭代的我们不会在发布会上发布。”谈及发布新设备的速度，上述工作人员直呼“真的太快了！我们的新品太多了！”
其中，公司CCP高能等离子体有60:1、90:1两种高深宽比的刻蚀设备；ICP低能等离子体刻蚀设备最先进可以做到140:1的高深宽比。
上述工作人员称：“公司目前先进设备可以做到3nm制程，并获国际头部客户应用。”
深度科技研究院院长张孝荣8月31日向时代周报记者分析称：“中国半导体设备在刻蚀领域已跻身前列，部分技术国际领先，只是在技术广度上仍有不足，未能覆盖所有刻蚀工艺类型。”
薄膜厚积薄发
另一边，在拓荆科技展区，公司工作人员在8月31日开展了两次演讲，分别对公司ALD系列产品以及PECVD系列产品开展介绍。
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
PECVD设备是拓荆科技的核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。
据拓荆科技工作人员介绍，公司多款薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%。
拓荆科技上述工作人员表示：“公司已成功开发了多种薄膜产品，可提供所有薄膜的解决方案；公司的产品/工艺可覆盖先进节点的所有薄膜应用；公司的PECVD可为先进节点提供全面的解决方案，且具有安全性和可持续性。”
张孝荣分析称：“在薄膜沉积领域，我国正在多点布局，加速追赶，但目前在高端产品和整体市场占有率上仍有差距。”
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