8 月 31 日，《The Information》援引两名知情人士称，长鑫已经开始小批量生产 HBM3E，并计划于 2027 年扩大产量。阿里巴巴旗下平头哥和寒武纪正在测试这些产品，若验证顺利，最快可能于明年将其用于各自的 AI 处理器。报道同时提到，长鑫的 HBM3E 良率仍然偏低，性能和可靠性也落后于三星电子、SK 海力士和美光的同代产品。长鑫、平头哥和寒武纪均未回应报道。
长鑫尚未正式公布这款 HBM3E。公司 8 月 29 日发布的半年报显示，其公开产品矩阵包括已经量产的 DDR5、LPDDR5/5X，以及正在接受客户验证的 LPDDR6。报告没有披露 HBM 产品的规格、堆叠层数、产量、良率和封装方案，也未将 HBM 列入商业产品序列
就在两年前，公开信息中的长鑫还停留在 HBM 样品阶段。2024 年 5 月，路透社报道称，长鑫与通富微电合作开发了 HBM 样品，并向潜在客户展示。当时，中国厂商主要追赶 HBM2，国际厂商已经生产 HBM3，并准备交付速度更高的 HBM3E。
那篇报道还提供了另一条线索：截至 2024 年，长鑫围绕 HBM 制造、功能和封装已经提交近 130 项专利申请，其中一部分涉及混合键合，另有专利指向 HBM3。这些文件无法证明产品已经量产，却表明长鑫对 HBM 的投入至少始于 2021 年前后，并非近两年临时启动的项目。
从 HBM2 样品到 HBM3E 小批量产品，长鑫公开呈现的技术路线发生了一次明显跳跃。中间的 HBM3 开发、封装方案和客户验证进度没有完整披露，外界也无从判断长鑫是否量产过 HBM2。此前流传的“HBM2 已大规模出货”“HBM3 已向华为供货”等说法，大多来自券商报告和产业链传闻，缺少公司公告或客户材料支撑。
HBM 的难点也不止于制造一颗速度更快的 DRAM。普通内存通常把一颗或多颗芯片装入模组，HBM 则要将多层 DRAM 裸片垂直堆叠，通过硅通孔（Through-Silicon Via，TSV）和微凸点连接，再与底部逻辑裸片结合，最后放到 AI 加速器旁边的先进封装系统中。
图丨HBM3E 示例图（来源：EE Times）
这条链路会放大每一个制造缺陷。一颗 DRAM 裸片出现问题，可能让整个多层堆栈报废；TSV、键合、晶圆减薄、底部填充和散热中的偏差，也会影响成品可靠性。层数越高、连接越密，制造和测试的难度越大。HBM 既考验前道 DRAM 工艺，也考验先进封装、逻辑裸片、测试设备和热管理能力。
另外，此前三星、SK 海力士等厂商的先进 DRAM 制程多依赖于 EUV制造，而长鑫则没有获得 EUV 设备，只能继续依靠深紫外光刻（Deep Ultraviolet Lithography，DUV）和多重图形化推进制程微缩。
不过缺少 EUV 并不意味着无法制造 HBM3E。HBM3E 的产品要求主要落在接口、传输速率、容量和堆叠能力，具体采用何种光刻路线由厂商决定。美光的 HBM3E 使用 1β DRAM；美光披露，1β 制程通过浸没式光刻和自主多重图形化技术绕过了 EUV，已经实现量产。
DUV 路线的代价主要落在制造环节。多重图形化需要将一层电路拆成多次曝光，增加掩膜、沉积、刻蚀和套刻步骤。流程越长，误差累积和缺陷控制越困难，晶圆吞吐量、成本和良率也更容易承受压力。EUV 可以用更少的曝光次数完成部分关键图形，因此先进 DRAM 厂商仍在持续增加 EUV 投入。
长鑫没有披露这款 HBM3E 的 DRAM 制程及光刻方案。若小批量生产的消息得到证实，其意义在于长鑫可能在设备受限的条件下，把先进 DRAM、硅通孔和多层堆叠整合成了可供客户测试的产品。报道提到的低良率或许与制程和封装复杂度有关。
平头哥和寒武纪的测试则为这次进展增加了一层现实意义。HBM 需要与处理器的内存控制器、封装基板和散热设计共同工作。客户开始把样品接入处理器，说明产品已经走出单独测试存储裸片的阶段，开始接受系统级验证。
测试仍然只是入口。容量和带宽达到标称值之后，客户还要检查长时间运行的稳定性、功耗、温度、信号完整性和批次一致性。通过认证后，AI 芯片公司才会把这种内存写入产品设计和采购计划。长鑫预计在 2027 年扩大生产，也意味着当前批次很可能承担发现问题、调整工艺和提高良率的任务。
不过竞争对手们不会停在原地等待。SK 海力士在 2024 年开始量产 HBM3E；三星于 2026 年 2 月宣布量产并商业出货 HBM4，美光也已开始大批量交付 HBM4。到今年 5 月和 6 月，三星与 SK 海力士相继向客户送出 HBM4E 样品。
从产品代际来看，长鑫 HBM3E 比已经量产的 HBM4 落后一代，比正在送样的 HBM4E 又慢一步。按照商业进度计算，差距可能更大：国际厂商已经形成稳定供应、客户认证和先进封装合作体系，长鑫仍在解决小批量生产阶段的良率问题。
但话说回来，代际差距并不等于 HBM3E 已经失去市场。SK 海力士汇总的机构预测显示，HBM3E 预计仍将占 2026 年 HBM 出货量的约三分之二，HBM4 会逐步增加份额。英伟达 H200 和 Blackwell、谷歌的部分 TPU 均使用 HBM3E。对于多数 AI 加速器，成熟、稳定的 HBM3E 仍是可以持续使用的主力产品。
中国市场对长鑫的衡量标准也与国际市场不同。美国商务部在 2024 年 12 月把先进 HBM 纳入对华出口管制，境内 AI 芯片企业不仅要考虑内存性能，还要面对采购数量、交期和政策的不确定性。
在这一环境中，一款性能稍弱、良率较低却能够持续迭代的国产 HBM，可能比一款无法稳定获得的海外产品更有价值。平头哥和寒武纪也可以围绕长鑫的实际规格调整内存控制器、封装方式和处理器设计，用系统协同弥补部分单项性能差距。国产 HBM 的首批客户更可能来自这种共同验证关系，而非直接进入英伟达等国际厂商已经高度成熟的供应体系。
而长鑫也具备继续投入的基础。公司半年报称，其 DRAM 产能规模已经位居中国第一、全球第四，第五代工艺技术平台正在进行客户认证。DDR5 已进入量产供应，LPDDR6 也已经送样。它已经证明自己能够完成 DRAM 产品从研发、客户验证到大规模生产的完整循环。
HBM 会把这套能力推到更苛刻的位置。普通 DRAM 的良率问题主要影响单颗芯片的成本，HBM 的良率还会与堆叠层数、封装和测试相互叠加。生产线即使能够产出 HBM3E，只要合格品比例过低，成本就难以进入商业可接受区间。即使良率改善，国内先进封装产能、逻辑底座和测试设备能否同步扩张，也会决定最终出货规模。
参考资料：
1.https://www.theinformation.com/articles/chinas-cxmt-makes-breakthrough-advanced-memory-chips
运营/排版：何晨龙
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