投行瑞银（UBS）近日行业报告称，在“假设不会出台新出口管制”的情境下，未来10年内，中国无法造出可商用的EUV极紫外光刻机；基于专利资料分析，当前中国EUV所处研发阶段大致与ASML 2004年水平相当。
而在浸润式深紫外DUV光刻领域技术差距更小，中国厂商有望在2-5年内具备竞争实力。中国追赶浸润式DUV光刻技术的速度，会显著快于EUV。
瑞银基于专利分析、企业公开数据及自下而上行业模型测算得出结论，当前中国EUV技术所处的研发阶段，与 ASML在2004年的进度相近。
回溯到2003-2004年，ASML正开展EUV设备的功能测试与真空测试，为45纳米及更先进制程的量产风险做验证。
激光轰击锡滴产生极紫外光的过程
EUV的工作台
同期还在攻关可适配13.5nm工作波长的高精度反射镜，同时研发激光与等离子体光源技术。因为传统光源无法在EUV波段稳定工作，这是当时的核心技术瓶颈。
如今ASML的研发重心已迭代至高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，通过高数值孔径反射镜与光学组件大幅提升聚焦精度与成像清晰度。
相比从干式空气光刻演进到浸润式光刻的传统DUV技术路线，EUV是全维度的技术代差。
瑞银还在报告点名了两家中国光刻设备厂商：上海微电子装备（SMEE），以及上海宇量昇科技（Yuliangsheng）。报告认为，两家企业的突破机会更多集中在DUV领域，而非EUV。
报告称，中国在DUV光刻领域，预计2-5年内就能具备与ASML竞争的能力，尤其是浸润式光刻设备。
浸润式光刻又称湿法光刻，通过在光刻镜头与晶圆之间加注一层超纯水，缩短等效光波长，从而提升光刻分辨率与焦深。
瑞银同时指出，即便DUV技术取得突破，受良率、产能效率的差距影响，中国市场仍会继续采购 ASML的设备。
报告将“DUV设备对华出口新增限制”列为ASML业绩的核心下行风险（悲观情景），并预计2027年中国市场仍将贡献ASML总营收的 15%-20%。
对于瑞银的报告，有评论称：“我并非专家，但我确信一点：永远不要低估中国的逆向工程能力。”
芯硬件认为，瑞银仅依靠专利维度简单对标ASML 2004年EUV研发阶段，直接得出“中国十年造不出EUV”的结论，存在明显局限性。
专利数量只能反映研发活动，不能直接等价于整机工程化、系统集成的真实水平。
如今仿真工具、材料数据库、国内全产业链配套条件，和20年前的行业环境已经不可同日而语。
同时报告未充分考量其它路径，国内除传统EUV路线外，还在布局多元光刻替代方案；且EUV研发是系统工程，部件突破到整机商用的节奏，受政策、供应链、验证场景多重变量影响，很难用线性时间简单预判。
因此上述预测只能作为一家机构推演情景，不能直接当作确定性产业结论。
再者说，当初华为被制裁后很多人也持悲观心态，认为EUV“卡脖子”无解。
但事实证明，方法不止一个，路也不止一条，只要想做，一切皆有可能。
以下是瑞银报告原文：
假设不出现新管制的基准情景下，ASML中国市场表现显著好于市场担忧
1、历史：近年ASML中国区营收如何变化？
2025年，中国市场贡献了ASML 33%的产品销售额，而2020年之前这一占比仅约10%；2019—2025年预期区间内，ASML中国区营收复合年增长率约40%。如此高速的扩张，也自然引发了市场对其可持续性的担忧。
2、 现状：今年中国区营收预期如何？
我们预计，2026年ASML中国区营收将同比下滑11%，2027年预期重回增长、同比提升25%。
但与此同时，受先进逻辑芯片、存储芯片扩产驱动，中国晶圆厂设备支出（WFE）2026年预计同比增长9%，2027 年预计同比增长29%。对应地，中国市场的光刻强度（光刻设备支出占晶圆厂总支出的比例）将在2026—2027 年回落至15%–20%；作为对比，2019年该比例为17%，2020—2025年区间为 20%–25%。
3、未来：中国光刻技术何时能追平？
我们的基准情景判断维持不变：未来10 年内中国无法造出可商用的EUV光刻机；从专利维度分析，当前中国EUV 技术所处的阶段，大致与ASML在 2004 年的水平相当。
我们认为，上海微电子（SMEE）与宇量昇科技（Yuliangsheng）是中国DUV光刻方案最先进的两家厂商，尤其值得关注。
在DUV赛道，我们预计中国还需要2–5年才能具备市场竞争力，尤其是浸润式DUV领域；但受良率、产能吞吐量的差距影响，中国市场仍会继续采购ASML的设备。
对ASML而言，悲观情景的核心风险来自针对DUV设备的对华出口新限制。我们预计，2027年中国市场仍将贡献 ASML集团总销售额的15%–20%。
芯硬件注：EUV光刻（extreme ultraviolet lithography，极紫外光刻）是一种使用13.5nm波长极紫外光的先进半导体微影技术，是制造7nm及以下（如3nm、2nm）超微小芯片电路的核心工艺。 EUV光刻的核心特点： 极短波长：波长仅13.5nm（相比传统DUV的193nm），可实现更高分辨率。 真空反射光学：因空气和玻璃会吸收EUV 光，系统必须在真空中运作，并使用原子级平整的铼/钼-矽多层膜反射镜。 高昂造价：目前全球主要由荷兰的ASML垄断，单台设备价格高达1.8亿至近4亿美元。
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