来源：新浪财经-锐眼工作室

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，嘉善复旦研究院提交的“单片全集成 GaAs HBT低噪声放大器”布图设计正式获得国家知识产权局的布图设计专有权公告，相关权属信息已在官方公告渠道完成公示。此次布图设计的获批，标志着嘉善复旦研究院在砷化镓射频前端芯片领域的自主研发成果获得官方知识产权确权，将为其相关技术的产业化落地和市场推广提供坚实的知识产权支撑。

项目详情 发布时间2026年9月4日 布图设计登记号BS.265576342 布图设计申请日2026年5月7日 公告日期2026年9月4日 公告号99132 布图设计名称单片全集成 GaAs HBT低噪声放大器 布图设计权利人嘉善复旦研究院 布图设计创作人李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿 布图设计创作完成日2026年4月3日

从本次公示的详细信息来看，该款单片全集成GaAs HBT低噪声放大器布图设计的创作完成日为2026年4月3日，由李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿五名核心研发人员共同完成，嘉善复旦研究院作为唯一布图设计权利人，于2026年5月7日正式向国家知识产权局提交布图设计登记申请。经过相关部门的合规审核后，该布图设计于2026年9月4日正式完成公告，对应公告号为99132，布图设计登记号为BS.265576342，本次公告的同步发布时间也与公告日期保持一致，完整记录了该款射频芯片布图设计从研发落地到知识产权确权的全流程关键节点。

综合点评
此次嘉善复旦研究院的砷化镓射频前端芯片布图设计获国家知识产权局确权，是其在该领域自主研发能力得到官方认可的重要标志。既为后续技术产业化落地筑牢知识产权护城河，也为相关产品市场推广扫清权属障碍，夯实其在射频芯片赛道的核心竞争优势。