国家知识产权局信息显示,应用材料公司申请一项名为“全环绕栅极装置的形成”的专利,公开号CN122720252A,申请日期为2025年2月。

专利摘要显示,兹描述水平环绕式栅极元件及制造其的方法。所述hGAA元件包含与替换金属栅极相邻的自对准低ĸ内间隔物。所述方法包括生长无内间隔物的源极/漏极外延材料,并接着在虚设栅极去除及纳米片释放后,形成低ĸ内间隔物材料。

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作者:情报员