国家知识产权局信息显示，成都晶湛电子科技有限公司申请一项名为“一种具有集成FRD的多重复合终端IGBT结构及制备方法”的专利，公开号CN122719161A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有集成FRD的多重复合终端IGBT结构及制备方法，属于半导体领域，该结构的终端区包括一个P型场限环组，以及分别位于所述P型场限环两侧的第一P‑型横向变掺杂环组和第二P‑型横向变掺杂环组；所述第一P‑型横向变掺杂环组中的各环与所述P型过渡区经高温退火后连接成一体，所述第二P‑型横向变掺杂环组中的各环与所述P型场限环组经高温退火后连接成一体。本发明通过FLR终端和VLD终端多重组合的方式来优化表面电场和芯片面积，抑制了VLD对注入剂量的敏感性并降低FLR末端电场峰值，同时集成FRD无需外部并联二极管，兼容标准IGBT工艺，提升功率密度和可靠性。

天眼查资料显示，成都晶湛电子科技有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本566.9312万人民币。通过天眼查大数据分析，成都晶湛电子科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员