众所周知，ASML是全球唯一一家能够制造EUV光刻机的厂商。

而过去的这些年间，ASML也将原来的LOW NA EUV升级到了HIGH NA EUV光刻机，价格也从原来的1亿多美元一台，提升至4亿多美元一台。

ASML的算盘打的好，LOW NA EUV的NA=0.33，主要用于7-3nm芯片的制造，而High NA EUV的NA=0.55，可以用于2nm-0.5nm芯片制造。

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而三星、英特尔，自然是没有选择，ASML一推出High NA EUV，哪怕4亿多美元一台，也抢着下单，因为它们本来就落后，只有靠新的EUV，看看能不能从台积电这里抢到点市场。

但台积电却稳坐钓鱼台，多次表示，暂时不买High NA EUV，台积电认为哪怕是到1.4nm、1.2nm，可能都不需要High NA EUV，现有的Low NA EUV就够用了。

对于ASML来讲，这怎么行啊，台积电才是最大的客户，过往的所有EUV销售，台积电占了一半，已经拥有了100多台EUV。

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只要台积电将这些EUV全部升级为High NA EUV，就是一大笔收入，五六百亿美元，如果台积电不买，那可怎么办，ASML就急了。

于是最近，终于想出了一个办法，那就是联合台积电，启动一项全行业合作计划，推动半导体光掩模从目前主流的6英寸规格向12英寸规格升级，并计划在2030年左右建成12英寸光掩模试验生产线，让其能够应用于High-NA EUV工艺下。

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光掩模其实就是芯片制造的母版，光刻机就是用光线照射这个光掩模，最终将上面的电路力转移至硅晶圆上，形成芯片。

以前光掩模主要是6寸的，所以制造12寸的晶圆时，需要更加复杂的多重曝光、拼接以及设计方案，这样其实是很费时间的，也大大提高了成本。

如果变成了12寸的光掩模，再来制造12寸的晶圆时，明显减少了拼接流程，那么设计会更为简单，制造芯片流程也会更加简化。

按照ASML的说法，如果采用12寸的光掩模技术，有望将High-NA设备的产能提高约40%。

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所以，在这样的诱惑下，台积电忍不住了，决定与ASML合作，共同研发这个12寸的光掩模技术，同时愿意采购High-NA EUV，以便于让自己的产能更高，优势更大。

可见，所有的企业都离不开一个利益，如果利益不够，它就无动于衷，如果利益足够了，那肯定就愿意动手了。