国家知识产权局信息显示，深圳市智光半导体科技有限公司申请一项名为“一种光通信长波长超辐射发光二极管芯片”的专利，公开号CN122742514A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种光通信长波长超辐射发光二极管芯片，涉及电子器件技术领域，具体为一种光通信长波长超辐射发光二极管芯片，包括N-InP衬底，所述N-InP衬底上依次生长N-InP缓冲层、N-InGaAlAs下波导层、应变补偿InGaAlAs多量子阱、P-InGaAlAs上波导层、InAlAs电子阻挡层、P-InP间隔层、P-InGaAsP腐蚀停止层、P-InP空间层、P-InGaAsP过渡层、P-InGaAs欧姆接触层、P-InP盖层构成基片外延结构；该光通信长波长超辐射发光二极管芯片，通过在单芯片的前后谐振腔面各设置一个出光波导，形成双波导结构，大幅降低了因单一波导工艺缺陷导致的芯片失效问题，显著提升了芯片的制备良率，降低了规模化生产的成本。

天眼查资料显示，深圳市智光半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本520.83万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市智光半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员