国家知识产权局信息显示，贰陆特拉华股份有限公司申请一项名为“反应结合碳化硅上的低应力光学表面化”的专利，公开号CN122751131A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及反应结合碳化硅上的低应力光学表面化。提供了用于在反应结合碳化硅上低应力光学表面化的系统和方法。基于反应结合碳化硅（RB‑SiC）的结构可以包括基底、在基底的顶部上的基于物理气相沉积（PVD）或其他合适的真空沉积（VD）的光学层、以及可选地直接布置在基底的表面上的一个或多个基于PVD（或其他合适的真空沉积（VD）技术）的粘合层。

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作者：情报员