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观点网讯:据公司消息,日前中国移动研究院宣布,在高维量子技术领域取得新突破。研究团队成功在硅光量子芯片上制备高维多体纠缠态,创下该领域规模新纪录。
该研究同时进一步完善高维量子纠缠态理论,并突破规模化制备瓶颈。
相关研究成果已发表于Nature子刊、国际顶级光学期刊《Light:Science&Applications》。
免责声明:本文内容与数据由观点根据公开信息整理,不构成投资建议,使用前请核实。
观点网讯:据公司消息,日前中国移动研究院宣布,在高维量子技术领域取得新突破。研究团队成功在硅光量子芯片上制备高维多体纠缠态,创下该领域规模新纪录。
该研究同时进一步完善高维量子纠缠态理论,并突破规模化制备瓶颈。
相关研究成果已发表于Nature子刊、国际顶级光学期刊《Light:Science&Applications》。
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