国家知识产权局信息显示，北京旗芯微半导体有限公司申请一项名为“门级仿真寄存器路径的生成方法”的专利，公开号CN122758995A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种门级仿真寄存器路径的生成方法，包括：步骤一，使用FCPROBE对RTL级寄存器路径进行宏定义；步骤二，扫描验证平台源代码，抓取其中的RTL级寄存器路径；步骤三，对所抓取的RTL级寄存器路径进行预处理；步骤四，利用verilog解析器对后端综合工具输出的门级网表文件进行深度解析，保存为结构化的信息描述文件并输出；步骤五，根据步骤三预处理后的RTL级寄存器路径，在所述信息描述文件中逐级查找，找到映射寄存器的标准单元；步骤六，解析所找到的标准单元的端口，确定各标准单元的复位输出及其极性；步骤七，输出到用于储存门级仿真寄存器路径的宏定义文件。本发明能够快速准确的生成门级仿真寄存器路径。

天眼查资料显示，北京旗芯微半导体有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1546.3858万人民币。通过天眼查大数据分析，北京旗芯微半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员