国家知识产权局信息显示，武汉四方创芯科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN122765956A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括：衬底。沿竖直方向在衬底上堆叠的存储单元层，每个存储单元层包括：沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个存储单元；其中，第一方向和第二方向相交，且均垂直于竖直方向。字线和背栅电极，沿第二方向延伸，且位于存储单元的有源层沿竖直方向的两侧，背栅电极在相邻的两个存储单元的有源层之间共用。气隙结构，至少位于沿竖直方向相邻的两个字线之间。

天眼查资料显示，武汉四方创芯科技有限责任公司，成立于2024年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉四方创芯科技有限责任公司财产线索方面有商标信息15条，专利信息15条。

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作者：情报员