IT时代网9月18日消息，中国科学院近日公布一种新型全环绕栅极（GAA）晶体管架构，该架构在DUV光刻机上实现了超过50万倍的开关比，理论上可解锁3nm等效性能。

与传统FinFET不同，GAA晶体管的栅极从四周包裹电流通道，对电流的控制更为精准，可明显抑制漏电。中科院此次开发的晶体管开关比超过50万，即开启状态下的电流是关闭状态的50万倍，电气控制能力突出。更关键的是，这些晶体管据称采用DUV光刻机制造。

DUV光刻机的分辨率本不足以直接刻画3nm级电路，通常需要借助多重曝光与浸没式DUV才能做到7nm级别。新架构通过放宽晶体管间距来保持性能，为DUV路线打开了通往3nm等效性能的理论窗口。

不过从理论走向量产仍有硬性门槛。芯片制造分为前道、中道与后道三个环节，新晶体管解决的是前道环节的瓶颈，中道的金属互连与后道的M0层布线并未从中受益。中科院此次成果的意义在于，验证了在缺少EUV光刻机的条件下，仍有从DUV向更先进制程逼近的技术路径，而中道与后道环节的瓶颈，将决定这条路径能否真正走通。

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注：本文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟