国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“多晶硅层的光学模型建立方法、厚度确定方法及装置”的专利，公开号CN122774992A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本公开涉及膜厚测量技术领域，公开了一种多晶硅层的光学模型建立方法、厚度确定方法及装置，方法包括：获取椭圆形偏振光经过当前标定样品后对应的第一波长范围下的当前椭偏特征参数，当前标定样品包括自下而上层叠设置的硅衬底、透明层和多晶硅层；基于当前椭偏特征参数和当前光学模型，确定多晶硅层在非透明波长范围下的当前消光系数；基于当前消光系数，确定多晶硅层在第一波长范围内的目标消光系数；基于目标消光系数和K‑K色散关系式，确定多晶硅层在第一波长范围内的目标折射率；基于目标消光系数和目标折射率构成的多晶硅层的吸收曲线，建立目标光学模型。本公开可以准确获取各个膜层的光学信息，进而准确确定光学模型。

天眼查资料显示，横店集团东磁股份有限公司，成立于1999年，位于金华市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析，横店集团东磁股份有限公司共对外投资了42家企业，参与招投标项目9624次，财产线索方面有商标信息184条，专利信息2899条，此外企业还拥有行政许可106个。

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作者：情报员