国家知识产权局信息显示，合肥芯投微电子有限公司申请一项名为“一种成膜设备偏置电容耦合间隙的调节方法和下电极组件”的专利，公开号CN122791331A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种成膜设备偏置电容耦合间隙的调节方法和下电极组件。该方法包括：建立参考基准，利用距离检测单元读取接收电极的下表面、安装基准面或与该接收电极具有固定相对位置关系的测量基准面的位置数据以确立参考零点；逐工位转动转盘并读取各接收电极相对于参考零点的偏差值；根据实测偏差数据，通过设置于接收电极、接收电极安装座或托盘支撑结构处的高度微调组件对各接收电极施加差异化轴向补偿，使各接收电极与固定电极之间的电容耦合间隙进入目标范围。其中，至少两个基板承载工位的轴向高度补偿量不同。本发明能够提高偏置能量传输效率，降低反射损耗，并改善多片基板的片间膜厚一致性。

天眼查资料显示，合肥芯投微电子有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥芯投微电子有限公司参与招投标项目10次，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员