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近日，据坊间可靠消息来源披露，SK海力士旗下美国子公司Solidigm正在评估于美国建设其首座NAND闪存前端晶圆厂，美国东海岸、尤其是纽约州北部被列为重点候选区域。SK海力士回应称，Solidigm正审视多项提升竞争力的方案，但目前尚未敲定任何具体计划。

此举与SK海力士正在推进的美国本土产业布局相呼应。该公司已在印第安纳州西拉法叶投资约40亿美元建设HBM后端封装厂；同时，拟议中的Solidigm美国NAND产线被明确为独立项目，与SK海力士同英特尔就俄亥俄州工厂合作生产存储器的相关讨论相互分开。

如果项目成功落地，该厂将成为Solidigm在美国的首个前端晶圆量产基地，有助于降低企业对中国大连单一产线的依赖程度，并减轻潜在关税以及美国对华先进半导体制造设备出口管制带来的供应链风险。

Solidigm由SK海力士于2021年底完成对英特尔NAND闪存与固态硬盘业务收购后成立，总部设在美国，在加利福尼亚州兰乔科尔多瓦等地布局研发中心。目前其全部NAND晶圆制造产能仍集中在中国大连：一厂已投入运营，月产能约10万片晶圆；二厂项目在经历约四年停工冻结后于2026年上半年重启，厂房主体工程已经完工，生产设备最早有望于2026年11月进场，目标在2027年上半年实现量产。新产线规划月投片约5万片，与现有一厂产能合并后，大连基地总产能有望提升约50%，达到每月约15万片晶圆。

在技术路线方面，Solidigm沿用源自英特尔的浮栅（Floating Gate）3D NAND技术，与SK海力士本土电荷陷阱闪存（CTF）技术体系并行发展。当前主力产品基于192层QLC，已推出122.88TB规格企业级固态硬盘，同时规划更高容量型号。下一代浮栅产品将推进至200层以上有源层堆叠，面向AI数据中心场景提供大容量企业级固态硬盘。

需要指出的是，受美国对华半导体设备出口限制政策影响，大连工厂本次扩产重心在于成熟工艺节点与现有浮栅工艺的产能释放，并不会把韩国本土300层以上的先进堆叠技术整体导入国内产线。QLC闪存相比TLC闪存，在读写速度与耐久度上存在固有差距，但人工智能训练与推理业务对高密度、大容量存储的旺盛需求，正在推动大容量QLC企业级固态硬盘成为存储市场重要增长点。

综合来看，Solidigm重启大连二厂与评估美国新建前端晶圆产能，体现出SK海力士在AI存储周期下的双轨供应链策略：依托中国成熟产线保障短期产能规模，借助美国潜在工厂强化长期供应链韧性并响应本土制造政策。不过，该项目选址、投资规模、产品定位及量产时间表仍处磋商阶段，后续进展应以企业官方正式公告为准。

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