存储芯片，新变局！|dram|nand|美光|闪存|高带宽内存

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全球存储行业，正在重新洗牌。做DRAM的开始进入NAND，存储巨头开始把晶圆厂搬向美国，老牌IDM英飞凌则选择退出部分存储业务。过去十余年形成的全球存储版图，如今正在地缘政治与 AI 算力狂飙的夹击下加速重构。一个依靠周期循环就能“躺赢”或“熬死对手”的存储时代，彻底结束了。

存储制造，重新回到美国？

美国曾经在存储领域拥有绝对的主导权。如果把时间拉回二三十年前，美国其实是全球存储产业最重要的发源地之一。

英特尔、美光、AMD、闪迪，以及后来从AMD和富士通闪存业务中发展起来的Spansion（飞索半导体），都曾是全球存储产业的重要力量。

但在之后漫长的产业整合中，美国存储产业发生了明显分化。

英特尔逐渐退出存储，先退出DRAM，后来又将NAND和SSD业务出售给SK海力士；Spansion被飞索/赛普拉斯及英飞凌等体系吸收变革；闪迪也经历了被西部数据收购、再重新拆分独立的过程。

美国真正留在全球DRAM第一梯队的，只剩下了美光。

与此同时，大规模先进存储制造越来越集中到东亚。

韩国有三星和SK海力士，日本保留了铠侠以及美光的广岛基地，中国台湾如今则成为美光最重要的DRAM和HBM制造基地之一。

而最新消息和新变化是，SK海力士和Solidig可能赴美制造。

据路透社报道，SK海力士正在与英特尔进行探索性讨论，希望首次在美国生产存储芯片，其中一个方案就是利用英特尔正在建设的Ohio One工厂；Solidigm则正在研究建设美国NAND工厂的可能性，以降低对现有亚洲制造基地的依赖。不过，两项计划目前都尚未最终确定。

如果这些计划最终落地，意义并不只是增加几座工厂，而是意味着韩国存储巨头第一次真正考虑把核心晶圆制造能力大规模搬到美国本土。

事实上，这条路美光已经先走了一步。2026年7月，美光宣布将其到2035年的美国投资计划进一步提高至超过2500亿美元，并提出一个相当明确的长期目标：未来约40%的DRAM在美国制造。

目前美光已经在纽约州Clay推进大型晶圆厂，在Idaho建设两座先进DRAM工厂，其中第一座Idaho工厂计划于2027年中开始晶圆产出。2026年，美光位于Virginia的工厂也已经开始生产1α DDR4。

这意味着，美国存储制造的变化其实比想象中更加明显。

过去几年，美国半导体制造回流的主角首先是逻辑芯片。台积电Arizona第一座工厂已经于2024年底进入4nm量产；Samsung Taylor工厂正在推进，计划2027年进入大规模量产；英特尔则仍在建设Ohio One，虽然目前计划已经推迟到2030年前后。

存储芯片过去高度集中在亚洲，是全球半导体专业化分工的结果。现在，这种效率优先的分工方式正在加入越来越多“安全”和“区域供应”的权重。

尽管在美国建设晶圆厂的人工、建设和供应链成本普遍高于亚洲，但随着AI带来巨大的存储需求，客户越来越重视供应链多元化，再叠加美国本土制造激励以及日趋复杂的地缘政治环境，过去看起来并不经济的“美国制造”，也开始成为存储厂商必须重新计算的一笔账。

台系玩家的接棒与重塑

在东亚供应链体系内部，分工演变同样剧烈。

其中动作最大的是南亚科。

2026年8月，南亚科董事会通过5A新厂扩产计划，2026年至2029年资本支出最高达到3466亿新台币。按照规划，5A工厂最终月产能约4.5万片晶圆，将陆续导入1B、1C、1D、1E等10nm级DRAM制程以及EUV设备，2027年下半年开始投片，2028年月产能达到3万片，2029年进一步提升至3.59万片。南亚科预计整座5A厂最终总资本支出约160亿美元。

南亚科此次的扩产背后有一个明显的产业窗口。在DRAM存储领域，三星、SK海力士和Micron处于第一梯队，南亚科属于第二梯队。按照TrendForce数据显示，2026年第二季度，三星、SK海力士和Micron三家公司在全球DRAM市场的营收份额分别达到39.4%、24.9%和23.3%，三家公司合计仍然控制约87.6%的市场。

但AI服务器和HBM正在大量吸走头部厂商的先进产能。三星、SK海力士和Micron越来越多地把资本、研发和晶圆产能投向HBM、服务器DRAM以及先进制程，反而给DDR4、DDR3等成熟产品留下了一部分市场空间。

TrendForce数据显示，2026年第二季度南亚科营收环比增长68.3%。AI不只是让HBM厂商赚钱，也在重新分配整个存储产业的产能结构。

而华邦电子最近的一笔收购，则把这种“重新洗牌”的意味推得更远。9月16日，华邦电子宣布将以11.2亿美元现金收购英飞凌NOR Flash和F-RAM业务。英飞凌仍保留SRAM、HYPERRAM、nvSRAM和抗辐射SONOS Memory等特色产品。按照双方规划，这笔交易预计于2027年下半年完成。收购后的业务将独立运营，总部设在美国San Jose。

前文我们简单提了一下Spansion（飞索半导体），最终被英飞凌收购了。而此次华邦电子收购了英飞凌相关业务交易完成后，表示将重新启用Spansion这一品牌。

图源：维基百科

Spansion曾经是全球最重要的NOR Flash厂商之一，1993年，AMD和富士通两家公司整合各自的闪存业务，成立合资公司FASL（Fujitsu AMD Semiconductor Limited），双方最初各持股50%。2003年，AMD将持股比例提高至60%；此后相关业务逐渐以Spansion品牌独立发展，并于2005年登陆纳斯达克。

此后的Spansion不断通过并购扩充产品版图。2007年，公司收购以色列闪存技术厂商Saifun Semiconductor；2013年，又收购富士通的微控制器和模拟业务，业务范围逐渐从单一闪存向嵌入式系统芯片扩展。

真正改变其命运的是2014年底。Cypress与Spansion宣布合并，双方以全股票方式进行交易，合并后的企业价值约40亿美元，并继续沿用Cypress Semiconductor这一名称。交易于2015年完成。2020年，Cypress又被Infineon收购，于是原本属于Spansion的NOR Flash业务最终进入英飞凌体系。

英飞凌将NOR Flash和F-RAM相关资产出售给华邦电子，这其实推动了专有存储市场的权力交接与整合。

那么，日本，还会再出现一个“尔必达”吗？

说到Spansion就让笔者想起了尔必达。

日本曾经是全球存储产业绝对的中心。NEC、东芝、日立、三菱、尔必达……上世纪八九十年代，日本企业一度占据全球DRAM市场的主导位置。但经过数十年的价格战、产业整合和资本竞争之后，日本本土大型DRAM企业最终只剩下尔必达。

2012年尔必达申请破产重组，2013年被Micron完全收购。如今，Micron在日本最重要的生产基地——广岛工厂，正是昔日尔必达最核心的DRAM制造资产之一。

而Micron还在继续给这座工厂加码。2026年7月，Micron正式启动广岛新洁净室建设，一期面积约2.8万平方米，计划于2028年下半年开始搬入制造设备，用于扩大面向AI的先进存储生产能力。日本经济产业省此前已经宣布，为Micron广岛先进存储研发和制造提供最高5360亿日元支持。

不过在NAND领域，日本还在持续发力。

2026年8月，Kioxia与SanDisk宣布，计划到2032年在日本合计投资超过310亿美元，继续扩大NAND Flash研发和生产能力，其中包括进一步扩张北上工厂。

日本在存储领域还有一个值得观察的点，那就是SAIMEMORY。

2024年底，SoftBank成立全资子公司SAIMEMORY，希望开发下一代存储技术。2026年2月，SAIMEMORY与Intel正式宣布合作，推进一种名为ZAM（Z-Angle Memory）的下一代存储技术。SAIMEMORY为日本存储的转型注入了变量。日本是否能够依托材料和设备端的传统优势，借力外围巨头的合作在下一代存储或新兴算力存储架构中重新找回话语权，成为接下来的核心看点。

它并不是传统意义上重新做一家DRAM厂，而是希望利用Intel此前在下一代DRAM键合项目中积累的技术，通过新的3D堆叠和制造架构，提高存储容量、带宽和能效，目标是在2027财年完成原型，并于2029财年实现商业化。项目随后还获得了日本NEDO支持。

因此，纵观当前的日本存储产业，呈现出清晰的“三条腿走路”格局：1）本土坚守：依托铠侠巩固其在NAND闪存制造领域的传统阵地；2）借力制造：借由美光广岛工厂，持续保留全球最前沿的DRAM先进制造能力；3）押注未来：通过SAIMEMORY等新兴企业，联手国际巨头直接锚定下一代存储架构。

所以，日本未必会再出现一个“尔必达”。但这并不意味着日本放弃了重新进入先进存储核心竞争圈。

中国厂商：不可忽视的“X因素”

而全球存储产业里最大的变量，可能还是中国。

在DRAM和NAND两条最重要的存储赛道上，中国都已经形成了具有规模的本土厂商：长鑫存储专注于DRAM，长江存储则长期深耕NAND Flash。两家公司分别沿着各自的技术路线持续推进产品迭代和产能建设，并依托中国庞大的手机、PC、服务器和数据中心市场不断扩大出货规模。

9月20日，长鑫存储宣布第五代DRAM平台正式进入量产，并推出两款24Gb LPDDR5X产品。新一代平台采用四重图形化技术，将存储单元特征间距进一步缩小至11.95nm，与上一代相比，单片晶圆可生产的芯片裸片数量提升至少50%。

根据TrendForce数据，2026年第二季度，长鑫存储在全球DRAM市场的份额已经达到约9.5%，排名第四。

在NAND领域，TrendForce预计，随着新设备陆续导入、产能继续释放，2027年中国供应商占全球NAND Flash位元产出的比例可能接近19%。

中国正在形成一套自己的存储制造能力。短期看，它未必会立即改变全球高端存储市场的竞争格局；但拉长到五年甚至十年，中国厂商的技术升级、产能扩张以及本土市场规模，都可能改变全球存储产业原有的供需关系。

这也是这一轮产业洗牌里，最难预测的变量之一。

结语