国家知识产权局信息显示，中电科第三代半导体科技有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管驱动背板的制备方法的驱动背板”的专利，公开号CN122825508A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提供了一种微型发光二极管驱动背板的制备方法及驱动背板，所述制备方法在玻璃基板上形成驱动背板前体；所述驱动背板前体包括驱动电路层和覆盖所述驱动电路层的钝化层，所述驱动电路层包括用于连接微型发光二极管的源漏极层，所述用于连接微型发光二极管的源漏极层包括焊盘；在所述覆盖所述驱动电路层的钝化层上形成吸光平坦层；所述吸光平坦层采用黑色吸光色阻材料；通过光刻工艺在所述吸光平坦层上制备形成暴露所述焊盘的开口，得到驱动背板成品，降低工艺成本，简化后段工艺流程。

天眼查资料显示，中电科第三代半导体科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中电科第三代半导体科技有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员