国家知识产权局信息显示，润西微电子（重庆）有限公司申请一项名为“半导体器件失效位置定位方法”的专利，公开号CN122825790A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件失效位置定位方法，该半导体器件失效位置定位方法包括以下步骤：提供一半导体器件的缺陷芯片，并采用显微热成像系统检测缺陷芯片上表面，以初步确定的缺陷区域；形成覆盖缺陷芯片表面的非缺陷区域的保护层；基于保护层去除缺陷区域表面所显露出的缺陷芯片的电极层；采用显微热成像系统检测去除电极层后的缺陷区域，以精准确定缺陷区域中的失效位置。本发明通过利用显微热成像系统初步确定缺陷区域，然后形成覆盖其表面非缺陷区域的保护层，再基于保护层去除缺陷区域表面的电极层，并通过显微热成像系统对缺陷区域进行失效位置的定位，提升了失效位置的定位精度，避免了刻蚀电极层的刻蚀剂对半导体器件的电性能的影响。

天眼查资料显示，润西微电子（重庆）有限公司，成立于2021年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，润西微电子（重庆）有限公司参与招投标项目2173次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可24个。

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作者：情报员