31.48亿+255亿，光通信赛道再加码|亨通光电|光子|光学|光纤|光通信|硅光

AI算力集群的持续扩张，正在将光通信推至半导体产业增长的核心位置。大模型训练与推理对互联带宽的需求呈指数级上升，直接拉动高速光模块及上游光芯片、电芯片的出货，也倒逼光通信产业链加快产能建设。

近期，亨通光电与高塔半导体相继宣布大规模扩产计划，分别从光纤光缆和硅光晶圆制造两个环节切入，折射出光通信赛道的景气度正持续上升。

亨通光电拟募资66.36亿元，近半投向光通信

9月24日，亨通光电披露定增预案，拟向特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过66.36亿元，扣除发行费用后投向9个项目。其中，光通信相关项目合计拟投入约31.48亿元，占比近50%。

具体来看，新一代光纤研发及生产项目拟投入7.58亿元，建设多芯光纤、超低损耗多芯光纤、保偏光纤、空芯光纤和多模光纤等特种光纤产线，规划多芯光纤年产80万芯公里、多模光纤年产250万芯公里。内蒙古高端光学新材料建设项目拟投入8.62亿元，新建800吨/年光棒和1200吨/年高端石英材料产能，以及600万芯公里/年光纤产能，向上游材料环节延伸。

面向AI数据中心的连接需求，亨通光电同步布局了多个项目。

亨通数据智联通信项目拟投入2.81亿元，形成年产5000万芯公里MPO高密度光缆产能，直接对接AI数据中心内部连接。
AI先进光互联项目拟投入10.51亿元，新增FAU光纤阵列产能约6300万片/年，FAU是光纤与硅光芯片之间精密耦合的关键无源组件，用于AI数据中心高速光连接。
此外，CPO先进封装研发项目拟投入1.96亿元，由子公司卓昱光子实施，建设洁净研发场地、购置封装和测试设备，推进CPO光引擎样机迭代。

从光纤光缆到MPO高密度光缆，再到FAU光纤阵列和CPO封装研发，亨通光电此轮定增的投向覆盖了从上游材料到下游光互联组件的多个环节，其中面向AI数据中心的产品线占据相当比重。

高塔半导体255亿元布局日本，打造最大光通信芯片基地

在晶圆制造端，高塔半导体首席执行官Russell Ellwanger近期对外表示，将在日本建立其最大的光通信半导体生产中心，这是其此前宣布的超6000亿日元（约255亿元人民币）对日本投资计划的一部分。

按照规划，第一阶段，高塔半导体将把新潟县妙高市新井厂区闲置的Fab 6改造为300mm（12英寸）硅光子与先进光学封装厂，同时提升富山县鱼津市Fab 7的SiGe与硅光产能。该阶段预计2027年第四季度达到全面量产准备状态。第二阶段，公司将在Fab 7旁新建另一座300mm晶圆厂，放大SiGe EIC与SiPho PIC产能，与既有产线形成互补，使日本据点同时具备芯片制造与光学引擎组装能力，并为后续导入CPO铺路。

高塔半导体估算，计划完成后，其日本产能到2029年将提升至每月4.5万片300mm晶圆，约为2025年水平的40倍，并新增约200名员工。资金安排方面，高塔半导体出资30亿美元，日本经济产业省补助10亿美元，合计约40亿美元。

Russell Ellwanger表示，日本拥有成熟的技术基础与熟练人才，是选择加码投资的重要原因，硅光芯片市场需求极高，公司必须尽快增加产能。

高塔半导体是一家专注于高价值模拟半导体的晶圆代工厂，产品线涵盖硅光子、硅锗、射频、电源管理、图像传感器等特色工艺平台。其当前最核心的战略产品为硅光子芯片，PH18DA平台可在单一光子集成电路上集成激光器、光放大器、调制器和光电探测器，支持800G至1.6T的数据传输速率。

从业绩数据看，高塔半导体硅光业务增长迅速。公司披露的数据显示，第二季度硅光业务年化收入已达6.8亿美元，较上年同期增长约278%，并计划在2026年底突破10亿美元。2026年全年收入中超过70%已被合同锁定；针对2027年产能，已签订总额13亿美元的硅光晶圆长期协议，客户并承诺在2028年下达更大订单。

光通信与半导体：从需求拉动到技术融合

从亨通光电的光纤光缆、FAU光纤阵列扩产，到高塔半导体的硅光晶圆产能建设，两条动态分别对应光通信产业链的不同环节，但指向的是同一个趋势——光通信正从半导体产业的应用市场，演变为技术演进的重要牵引力。

光通信的爆发式需求为半导体提供了明确的增量市场。AI大模型、数据中心和云计算对算力集群互联带宽的需求持续攀升，直接拉动高速光模块向400G、800G乃至1.6T演进，进而为光芯片和电芯片创造增量空间。