国家知识产权局信息显示，东莞新科技术研究开发有限公司申请一项名为“一种半导体的氧化层的制造方法”的专利，公开号CN122871983A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体的氧化层的制造方法，包括：将半导体衬底置于氧化气氛中进行预处理，以在所述半导体衬底上形成初始氧化层；使用脉冲激光退火工艺对所述初始氧化层进行退火处理，以在所述半导体衬底上形成氧化层。采用本发明的技术方案能够利用脉冲激光退火工艺在半导体上形成氧化层，从而提高了氧化速率，降低了缺陷密度，并且减少了对周围材料的损害。

天眼查资料显示，东莞新科技术研究开发有限公司，成立于2004年，位于东莞市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1050万美元。通过天眼查大数据分析，东莞新科技术研究开发有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息764条，此外企业还拥有行政许可43个。

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作者：情报员