国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种光学芯片衬底结构、制备方法及光栅耦合器件”的专利，公开号CN122860621A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种光学芯片衬底结构、制备方法及光栅耦合器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底层；第一缺陷层，位于所述衬底层上；光学隔离层，位于所述第一缺陷层背离所述衬底层的一侧；光电功能层，位于所述光学隔离层背离所述衬底层的一侧表面；散射层，位于所述第一缺陷层与所述光学隔离层之间；所述散射层与所述光学隔离层间的接触面的粗糙度为0.5nm～10nm。本申请在第一缺陷层和光学隔离层之间设置散射层，能够有效散射界面光，降低各层厚度变化对器件效率的不良影响，提升光栅耦合器件的中心波长和带宽稳定性，也提升该光学芯片衬底结构中各层厚度的调整灵活性，有利于简化制备流程，降低制备难度，提升制备良率。

天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本44680万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目148次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员