先把“老”这个字从光刻机上摘下来
在中文语境里，“成熟制程”这四个字天然带着一丝贬义，仿佛它是“先进制程”被卡住之后不得不退而求其次的将就。这是一种非常危险的误解，而且它会导致对整条产业链的判断全部错位。
光刻机不是越“新”越“对”，是越“合适”越“对”
光刻分辨率的基本公式只有一个：
R = k₁ × λ / NA
R 是能刻出的最小线宽，λ 是光源波长，NA 是投影物镜的数值孔径，k₁ 是工艺因子。想让 R 变小，无非三条路：缩短波长、加大 NA、压低 k₁。
- i-line：λ = 365nm，光源是一盏高压汞灯。是的，你没看错，一盏灯。技术成熟于 1980 年代。
- KrF：λ = 248nm，光源是氟化氪准分子激光器。1990 年代商用。
- ArF（干式）：λ = 193nm，氟化氩准分子激光器。
- ArF immersion（ArFi）：λ 仍是 193nm，但在镜头和晶圆之间灌水，等效波长压到约 134nm。
- EUV：λ = 13.5nm，锡等离子体光源，全反射光学，真空环境。
看起来是一条“波长越短越高级”的直线。但半导体制造从来不是做单选题，它做的是成本题。
关键变量是“层”。
一颗 28nm 逻辑芯片，整条流程要曝光几十层。这里面真正“卡分辨率”的，通常只有最关键的十几层——栅极、关键金属层。剩下的几十层（阱区、源漏注入、接触孔、大部分金属互连、钝化层开口）对线宽的要求要宽松得多。让一台价值上亿的 ArFi 去曝一层 500nm 就能搞定的钝化层开口，等于用手术刀砍柴。
于是产线自然分化出一个“光刻层配比”：
- 最难的层：交给 ArFi（甚至多重曝光、甚至 EUV）
- 中等难度的层：ArF 干式、KrF
- 大量的非关键层、厚胶层、封装层：i-line
这就是为什么 ASML 自己反复强调一句话：DUV 不仅是现在的主力，未来仍将长期是主力设备。先进制程由 EUV 牵引，成熟制程与先进封装由 DUV 支撑——这是 ASML 2025 年报自己给出的双轨结构描述，不是小编编的。
i-line：365nm 的“工业万金油”
如果让小编给 i-line 一个定位，那大概是：它是半导体行业里性价比最高的一台“复印机”。
它的典型战场：
- 功率器件：IGBT、MOSFET、以及现在最热的 SiC、GaN 器件。这类器件的特征尺寸普遍在 0.5μm 以上，对线宽要求不高，但对厚胶、深焦深、大台阶覆盖要求极高。i-line 的长波长反而带来了更大的焦深——这可是白送的优势。
- 化合物半导体：GaAs 射频前端（LNA / PA）、InP 光芯片、GaN 射频与功率。这条线上的光刻需求几乎全部落在 i-line 与步进投影机的范畴。
- 先进封装：RDL（再布线层）、Bumping（凸块）、TSV、Fan-Out。这是近年增长最快的一块。AI 芯片要用 CoWoS、用中介层、用多芯片模块，这些“连接层”的光刻精度要求通常在微米级，i-line 绰绰有余。
- MEMS / 传感器：压力传感器、麦克风、惯性器件。
- LED / Mini-LED / Micro-LED：0.8μm 到 2μm 的分辨率区间，i-line 是主力。
KrF 的位置最尴尬也最关键。它往下够不着 i-line 的成本优势，往上够不着 ArF 的分辨率，但它恰好卡在一个巨大的需求带里：
- 存储：3D NAND 与 DRAM 的大量非关键层、部分关键层。这是 2025–2026 年 KrF 需求反弹最猛的地方——因为 AI 把存储的产能缺口直接撕开了。
- CIS（CMOS 图像传感器）：手机、车载、机器视觉。
- DDI（显示驱动芯片）：手机屏、车载屏、电视屏的驱动。
- 模拟 / BCD / 高压工艺：电源管理、电机驱动、车规级模拟。
- MCU / 通用逻辑：40nm、55nm、65nm、90nm 节点的关键层与非关键层。
Yole 曾在一组针对“超越摩尔”（More than Moore）应用的光刻设备预测中给出过一组很能说明问题的数字：2020 到 2026 年，该类光刻设备市场预计年均增长约 9%，到 2026 年规模约 17 亿美元；其中 CIS 光刻设备约 5.5 亿美元、电源管理芯片光刻设备约 4.4 亿美元，两者年均增速约 7%（Yole Développement，经《科创板日报》报道转述）。
请注意这组数字的意义：它不是“萎缩的老旧市场”，而是一个稳定、刚性、跟着终端出货量走的市场。这类市场的可怕之处在于：它不爆发，但它也绝不消失。
01.
绍兴光刻机项目信息
项目简介
项目为核心产业化升级项目，通过产能整体转移、产线智能化升级，破解原有场地与产能瓶颈，聚焦半导体光刻、涂胶设备产能及交付能力提升。项目一期总投资3亿元，用于新基地建设、无尘车间改造、智能产线及精密检测设备配套，建成精密装备全流程标准化、批量化智造体系。
项目采用双产线并行模式：成熟制程I线、KrF光刻机再制造年产15-20台；依托自主核心技术，全自动对准曝光机年产50台。同时配套涂胶设备产线，实现光刻、涂胶成套设备协同量产，可一站式匹配下游晶圆、微电子企业采购需求，大幅提升规模化生产与产业配套优势。单位工业增加值能耗0.14吨标准煤/万元。该技术改造项目开工前，将依法办理环评、能评手续。
项目地址 浙江省绍兴市
项目投资额 34000万元
建设周期 2026年12月至2027年12月
当前进展
2026-08-07 企业投资（含外商投资）项目备案（技术改造）已办结
聊点“芯鲜事”？私信小编：直达芯项目11FIM半导体行业一线沟通。
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