国家知识产权局信息显示，深圳市芯存科技有限公司申请一项名为“一种SLC NAND阈值电压自适应校准方法及系统”的专利，公开号CN122889029A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体存储技术领域，公开了一种SLC NAND阈值电压自适应校准方法及系统，所述方法包括获取目标闪存的初始电压数据，并计算目标闪存的分布偏移量，将所述分布偏移量与预设的偏移阈值比较，根据比较结果确定目标闪存分布电压的密度快速和缓慢变化区域；根据密度快速和缓慢变化区域获取电压区间跨度值进行非等距划分，生成非等距划分宽度集合；获取非等距划分宽度集合的边界候选值序列，并重建分布曲线并提取谷值电压，调整边界生成动态电压边界，据此判定存储状态，得到读取数据，完成校准读取。本方法通过偏移检测与梯度分析，结合预设的偏移阈值与非等距划分，生成动态电压边界，实现自适应校准读取。

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作者：情报员