国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种法拉第屏蔽装置及其控制方法、半导体工艺设备”的专利，公开号CN122889665A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种法拉第屏蔽装置及其控制方法、半导体工艺设备，该法拉第屏蔽装置包括：法拉第屏蔽结构本体，用于对等离子体进行屏蔽控制；OES信号采集模块，用于采集等离子体放电过程中的光谱特征数据；旋转驱动模块，与法拉第屏蔽结构本体连接，用于驱动法拉第屏蔽结构本体旋转，以调整法拉第屏蔽结构本体的屏蔽状态；控制模块，与OES信号采集模块、旋转驱动模块电连接，用于根据光谱特征数据判断所述等离子体是否发生状态跳变，在判定等离子体发生状态跳变时，生成屏蔽状态驱动指令，发送至旋转驱动模块，使旋转驱动模块驱动调整法拉第屏蔽结构本体的屏蔽状态。本发明可以根据等离子体状态实现屏蔽状态自动切换，增强法拉第屏蔽装置的屏蔽效果。

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作者：情报员