国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“半导体外延结构及其形成方法和半导体器件”的专利，公开号CN122892215A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体外延结构及其形成方法和半导体器件。本发明实施例会将离散分布在半导体衬底的上表面的纳米级岛状化合物作为纳米级硬掩模来在半导体衬底上形成成核层。由此，本发明实施例可以在避免引入有害形核的同时，降低异质外延结构的缺陷密度，并缓解位错集中，以及确保外延层和衬底不会因应力累积而出现开裂和不可控翘曲。

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作者：情报员