国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“芯片失效分析结构及其形成方法”的专利，公开号CN122882940A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，一种芯片失效分析结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底、位于所述基底上的多个导电层和位于所述导电层上的薄膜层；在所述薄膜层内形成凹槽，所述凹槽底部保留所述薄膜层的一部分厚度，且所述凹槽的侧壁呈台阶状；确定所述凹槽底部多个导电层中需电性外接的导电层，记为外接导电层；去除所述外接导电层上的薄膜层；形成金属连线层；形成测试端子，位于所述凹槽外的薄膜层上；其中，所述金属连线层自所述外接导电层连接至所述测试端子。本发明实施例有利于提高芯片失效分析结构的制作良率。

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作者：情报员