国家知识产权局信息显示，西安英冉半导体科技有限公司取得一项名为“一种单芯片多层次封装固定结构”的专利，授权公告号CN224844747U，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种单芯片多层次封装固定结构，具体涉及芯片封装技术领域，包括：基板，所述基板的上侧设置有多个焊盘，所述基板的上侧设有定位框，所述定位框的外侧包裹有保护罩，所述定位框的内部嵌套有缓冲座；单芯片，所述单芯片镶嵌在缓冲座内，所述单芯片的底部对应各个所述焊盘的位置设有焊料球，所述单芯片的上侧设有挤压支撑环；散热组件，所述散热组件包括导热板、散热板和多个导热柱，所述导热板与单芯片之间设有导热胶垫，所述散热板与导热板之间通过多个所述导热柱连接。本实用新型通过定位框、保护罩、缓冲座、挤压支撑环和散热组件的设置，能够实现单芯片的高可靠性机械固定，提高单芯片的散热效果，增强封装抗冲击能力。

天眼查资料显示，西安英冉半导体科技有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，西安英冉半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员