国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司、重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“直拉法制备单晶硅的方法”的专利，公开号CN122879828A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种直拉法制备单晶硅的方法。所述直拉法制备单晶硅的方法包括如下步骤：驱动籽晶下降并与硅熔体接触；采用分段缩颈工艺形成纺锤形缩颈晶段，所述纺锤形缩颈晶段包括交替排布的细颈晶段和凸起节点晶段，且所述凸起节点晶段的直径大于所述细颈晶段的直径；采用等径生长工艺形成等径晶段，以形成包括所述纺锤形缩颈晶段和所述等径晶段的单晶硅晶棒，所述等径晶段的直径大于所述凸起节点晶段的直径。本发明解决了直拉法单晶硅晶体生长中的位错问题，确保生长的单晶硅晶棒的质量。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息299条，此外企业还拥有行政许可202个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目15次，专利信息204条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员