国家知识产权局信息显示，安徽宏禧微显科技有限公司申请一项名为“一种OLED阳极的制备方法”的专利，公开号CN122892440A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种OLED阳极的制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明在所述阳极和基板的表面进行PECVD，对得到的像素定义层前体进行第一光刻，暴露出部分所述阳极，对得到的第一光刻后基板的氮化硅层进行等离子体处理，表面形成类SiO层，对得到的等离子体处理后基板进行第二光刻，暴露出所述像素隔离区；对所述像素隔离区进行过刻蚀，形成所述底切结构，然后去胶；所述过刻蚀的过程中，对氮化硅的刻蚀速率大于所述类SiO层。本发明通过使用单层绝缘膜层，利用Plasma的表面处理，将绝缘层表面变性，将氮化硅层处理成类SiO层，将氮化硅的刻蚀速率调节成远大于SiO，经OE即可形成底切结构，提高了良率。

天眼查资料显示，安徽宏禧微显科技有限公司，成立于2025年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40700万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽宏禧微显科技有限公司参与招投标项目29次，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员