国家知识产权局信息显示，宜兴中车时代半导体有限公司取得一项名为“一种双顶角圆化结构及功率半导体器件”的专利，授权公告号CN224844610U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种双顶角圆化结构及功率半导体器件，双顶角圆化结构，包括设置在硅衬底表面与沟槽结构的顶部过渡处的第一圆角结构、设置在栅极结构的顶角的第二圆角结构。通过在硅衬底与沟槽顶部过渡区域设置第一圆角结构，并在栅极结构的顶角处形成第二圆角结构，有效缓解了传统沟槽栅IGBT中因直角顶角引起的局部电场集中问题。该设计显著降低了栅极氧化层在高电场应力下的峰值电场强度，从而提升了栅氧的可靠性与器件整体的耐压能力；同时，圆化结构有助于改善载流子分布均匀性，减少漏电流和界面态密度，有效兼顾了高耐压、低损耗与高可靠性，为高性能功率半导体器件的开发提供了关键技术支撑。

天眼查资料显示，宜兴中车时代半导体有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，宜兴中车时代半导体有限公司参与招投标项目2244次，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可133个。

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作者：情报员