国家知识产权局信息显示，成都天成电科科技有限公司申请一项名为“基于缺陷接地结构的渐变阻抗微带结构及射频电路板”的专利，公开号CN122907864A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种基于缺陷接地结构的渐变阻抗微带结构及射频电路板。该结构包括介质层、微带导体层和接地层；微带导体层包括第一等阻抗段、渐变阻抗段和第二等阻抗段，渐变阻抗段的线宽连续变化以实现局部特性阻抗连续过渡；接地层设有与渐变阻抗段正投影对应的缺陷接地调制区，缺陷接地调制区包括多个缺陷接地单元，且不同位置的缺陷接地单元的中心间距、缺陷长度、槽颈宽度和等效开槽面积中的至少两项根据对应位置的线宽或局部特性阻抗确定。由此，可补偿渐变阻抗段引起的接地回流扰动，降低反射损耗并抑制高频寄生模式。

天眼查资料显示，成都天成电科科技有限公司，成立于2010年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本800.6188万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天成电科科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目28次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员