EETOP 两位知情人士表示，韩国 SK 海力士正在寻求华盛顿批准，把美国芯片制造设备出口到中国，以便在当地提高产量，并以此作为在美国建设工厂的条件。
特朗普政府正在推动 SK 海力士、三星以及其他外国芯片厂商在美国建厂，目的是重建美国制造能力，并创造就业岗位。
全球存储芯片短缺已经推高价格。在这一背景下，SK 海力士的美国子公司 Solidigm 希望在该公司位于中国大连的厂区尚未使用的空间里安装新设备，生产 NAND 芯片。NAND 闪存用于安装在数据中心的固态硬盘，面向人工智能和云计算。大连这座 NAND 工厂使用的机台，来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国主要半导体设备厂商。
Solidigm 正在为大连的追加设备申请美国出口许可，并把新建一座美国 NAND 工厂的计划与这家中国晶圆厂联系起来。这两项此前都没有报道过。
SK 海力士在给路透社的声明中说：“Mod B 的设备安装，正与美国政府密切协商，并在其授权下进行。”声明还称：“对于 2023 年已经建成的大连 Mod B，并未寻求扩大产能。”Solidigm 拒绝就此事置评。美国商务部负责出口管制，也一直在就半导体制造设施投资进行谈判，该部门没有回应置评请求。
大连闲置空间与美国新厂
美国限制芯片制造设备对华出口，给出的所谓的理由是为了放缓中国在人工智能和军事领域发展尖端半导体。
路透社上个月报道，Solidigm 正在考虑在美国建设一座 NAND 闪存工厂，建成需要数年，耗资数十亿美元。
一位知情人士说，在中国扩大生产，将有助于 Solidigm 为美国这座 NAND 工厂筹集资金，并在美国本土进一步提高产量之前起到衔接作用。另一位消息人士说，Solidigm 还在考虑最早于明年进行首次公开募股，募得的资金可能用于这座美国工厂。
许可收紧之后
市场研究机构 TechInsights 的存储行业专家沃尔特·库恩（Walt Coon）表示，几年前存储市场一度下行，如今 NAND 市场景气高涨，未来几年预计仍将维持紧缺。他说，自 2023 年年中以来，价格已经升至当时的 7 倍。
2025 年，美国商务部撤销了此前给予 SK 海力士和三星的授权。这些授权使两家公司不必为在华晶圆厂使用的美国设备申请许可。商务部把这类授权称为“拜登时期的漏洞”。商务部当时表示，将发放出口许可，让这些公司维持中国现有晶圆厂的运转，但预计不会批准用于扩大产能或升级技术的设备许可。2025 年 12 月，商务部向 SK 海力士大连厂发放了 2026 年度许可，并限制了设备数量。
Mod B 的空位与 2027 年许可
一位消息人士说，SK 海力士大连厂有一处名为 Mod B 的厂房空间，建于 2023 年；由于存储市场下行，设备安装当时没有完成。两位消息人士说，Mod B 里已经放入一部分芯片制造机台，剩下的空间仍然很大。
一位知情人士说，商务部尚未就 2027 年更多美国制造的设备和技术发放许可。该人士还说，Solidigm 已另行申请出口许可，以便为 Mod B 购买更多机台。
路透社上个月另曾报道，SK 海力士正在与英特尔商谈，租用英特尔在俄亥俄州长期规划的芯片制造设施的一部分。在全球 NAND 闪存供应商中，三星电子与 SK 海力士位列前两名，SK 海力士居后。SK 海力士已在印第安纳州为一座高带宽内存（HBM）先进封装厂破土动工。
研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，中国 NAND 闪存厂商长江存储（YMTC）在 2026 年第二季度升至全球第三。
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