国家知识产权局信息显示，世晶半导体（深圳）有限公司申请一项名为“基于功率电子设备的MOSFET版图优化方法及系统”的专利，公开号CN122927198A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及功率半导体器件设计技术领域，尤其涉及基于功率电子设备的MOSFET版图优化方法及系统。通过获取初始版图数据并进行三维电磁场分析提取寄生效应特征数据，识别关键寄生路径设定拓扑优化变量域，建立金属布线材料分布的连续化拓扑描述并构建以栅极电荷最小化为目标、源极回路寄生电感为约束的多目标优化问题，建立拓扑变量与电路响应的敏感度关联机制迭代更新材料分布，收敛后离散化生成满足工艺设计规则的版图拓扑方案并仿真验证。该方法有效降低栅极电荷并优化开关性能。

天眼查资料显示，世晶半导体（深圳）有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，世晶半导体（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息8条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可9个。

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作者：情报员