国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“光电探测器及其形成方法”的专利，公开号CN122934942A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，一种光电探测器及其形成方法，探测器包括：开口，贯穿第一介质层和部分基底；第一扩散层，位于开口的侧壁，第一扩散层中掺杂有第一型离子；第二扩散层，与第一扩散层相背离且覆盖开口的侧壁，第二扩散层中掺杂有第二型离子；光吸收层，位于开口的剩余空间中且覆盖第一扩散层侧壁和第二扩散层侧壁；第一型掺杂区，位于光吸收层的侧壁，且第一型掺杂区由第一扩散层中的第一型离子扩散形成；第二型掺杂区，位于光吸收层的侧壁，且第二型掺杂区由第二扩散层中的第二型离子扩散形成。在开口设置第一扩散层和第二扩散层，在降低光吸收层的侧壁往基底中侧掏的同时，使光吸收层两侧的载流子传输距离得到减小，提高光电探测器的带宽。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息730条，此外企业还拥有行政许可127个。

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作者：情报员