韩国巨头开出条件，希望美国能网开一面，稍微松开对中国的封锁。
韩国存储芯片巨头。SK海力士正与美国政府磋商，希望通过旗下美国子公司Solidigm获得向中国大连工厂出口更多美国芯片制造设备的许可，并将此作为在美国新建NAND闪存工厂的前提条件。SK海力士这么做，有什么深意？
（SK海力士）
华盛顿近年来一直在施压外国芯片企业赴美建厂，SK海力士和三星电子是重点压榨对象。就在这种压力下，SK海力士没有拒绝赴美建厂，而是把一个事关中国产能的条件摆上了谈判桌，这样做当然有目的。
SK海力士大连工厂有一处名为Mod B的厂房区域，2023年就已建成。那时全球存储芯片市场处于深度低迷期，设备安装工作未能完成。但眼下的市场环境完全不同，Mod B厂房内仍有大量空间可供安装新设备。
这些设备来自泛林集团、应用材料、科磊等美国半导体设备厂商，但没有美国商务部的出口许可，一台也运不进去。
那么，SK海力士为什么不干脆放弃大连的扩产计划，把资源全部投向美国？因为美国新厂从动工到量产需要数年时间和数十亿美元的前期投入，这段时间内无法贡献任何产能。而大连工厂的基础设施已经就位，只需要获得设备出口许可，就能在较短时间内形成产量。
（半导体生产线）
SK海力士的计划是，通过大连工厂扩产带来的现金流，为美国新厂的建设提供资金支持，而方案的关键前提是大连Mod B厂房能够获得设备出口许可。
以前，SK海力士受益于“经验证最终用户”制度，无需申请许可，但在2025年，美国撤销了SK海力士和三星在华工厂的豁免资格。
虽然美方已经向SK海力士大连工厂发放了2026年度的许可，但限制了设备的采购数量，而2027年度的许可尚未发放。美国目前的政策是，允许企业维持在华现有工厂运营，但不批准扩产或技术升级所需的设备出口，而SK海力士的申请恰恰落在“扩产”的范畴内。
对于美国来说，这里就有一个麻烦，如果批准SK海力士的申请，等于松动了对华设备出口管制的红线。如果拒绝，SK海力士赴美建厂的动力将大幅减弱，而美国本土NAND产能的空白期会被拉长，很可能会白白错过当前的市场周期。
（SK海力士的NAND）
SK海力士的谈判策略，反映出了韩国半导体产业的处境。最近几个月，韩国半导体出口增长迅速，几乎支撑起韩国出口的“半壁江山”，中国又是韩国半导体最大的出口目的地，韩国不可能放弃这个市场。
与此同时，SK海力士约30%至40%的DRAM和NAND产能位于中国，韩国存储芯片的产能布局与中国深度绑定，短期内找不到替代方案。
这种“双轨布局”的可持续性面临着一个挑战，中国的自主替代能力提升速度很快，很可能会打破目前的市场平衡。
根据市场数据，2025年第一季度至2026年第一季度，长江存储的全球NAND营收份额从9%升至14%，增幅超五成。今年第二季度，长江存储的NAND出货量达到全球第三，仅次于三星和SK海力士，超过了铠侠和美光。
中方的产能扩张速度也很快，长江存储目前在武汉运营两座晶圆厂，合计月产能约20万片，产能利用率达到98%。三期工厂已经开始安装设备，预计年底投产，全部达产后月产能目标为50万片。
（SK海力士厂房）
长鑫科技在DRAM领域同样保持高速增长，2026年上半年营收超过1500亿元，同比增长873.64%。
中国存储厂商持续释放产能，对全球NAND市场供给侧产生了直接影响，一旦本土产能覆盖国内需求，韩国企业在中国市场的份额必然会被压缩。
SK海力士急于在大连Mod B厂房安装设备，相当程度上也是为了在中国存储产能全面放量之前，尽可能多地锁定市场份额和现金流。
所以现在韩国企业是“一根筋、两头堵”。美国的出口管制，可以通过协商的方式应对，但不确定性太大，没人知道下一次美国会如何“随心所欲”。中国的自主替代能力在不断提升，一旦形成规模效应，将从根本上改变市场格局。
SK海力士想在中间寻找一个暂时的平衡点，很难，但也不得不这样做。
（近段时期韩国芯片出口增长很快）
目前美国商务部尚未批准大连工厂新增设备的出口许可，这笔交易能否达成，还要看华盛顿内部的博弈。
国会的对华强硬派明确表达了关切，他们对一切可能帮助中国半导体产业扩产的计划说“不”，根本不在乎企业利益和市场，在这种政治氛围下，批准SK海力士扩大在华产能的申请面临不小的阻力。
但另一方面，NAND市场的供应紧张态势为SK海力士提供了谈判筹码。在美国本土NAND产能尚未建立的情况下，拒绝SK海力士的申请就要放弃一个快速增加供应的选项，美国未必会舍得。
对SK海力士而言，无论这笔交易最终是否达成，它在中美之间的战略空间已经在收窄。中国市场的营收贡献和产能布局决定了它无法轻易“脱钩”，而美国的技术管制和建厂压力又要求它持续做出让步。
这就是核心技术被别人掌握的结果，对中国来说也是一个反面教材，“掌握核心技术”，这句话永远不会过时。
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