成熟制程，持续涨价|低功耗|先进制程|成熟制程|电容|电源|联电|记忆体

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研调机构Sigmaintell最新报告指出，AI基础建设扩张，带动电源管理、通讯与周边芯片需求升温，本季全球成熟制程晶圆代工业产能利用率冲上91%高档，伴随物料成本提高与供需吃紧，明年首季8吋与12吋成熟制程晶圆代工价格将季增4%至8%。

业界指出，AI红利不仅带旺台积电先进制程接单热转，也促使成熟制程晶圆代工涨价潮延续，联电、世界先进、力积电持续迎来价量齐扬盛况。

联电对市况展望正向，看好22纳米、28纳米需求持续复苏，第3季晶圆出货量季增高个位数百分比，产能利用率攀升至九成以上，平均售价持稳，毛利率约35%。

世界方面，受益于AI电源管理需求增温，第3季产能利用率达九成以上，订单能见度约四个月，第4季仍有向上空间。

世界预估，第3季毛利率介于32.5%至34.5%，后续在量价与产品组合改善带动下，营运动能可望延续，新加坡12吋新厂则支应中长期成长需求。

力积电方面，今年7月已调升DRAM投片价约45%，8吋、12吋逻辑代工投片价同步上调10%至15%，下半年持续反映调价效益。公司聚焦记忆体、逻辑代工与3D AI Foundry，布局晶圆堆叠、硅电容及硅中介层；公司强调，出售铜锣P5厂予美光后，有助降低负债、减轻折旧与固定成本压力，推进营运改善。

Sigmaintell指出，全球成熟制程需求呈现分化，智能手机、笔电等消费性电子买气仍偏弱，但AI基础设施扩建，推升编码型快闪记忆体（NOR Flash）、高效能微控制器（MCU）与电源管理芯片需求，带动55纳米、90纳米产能吃紧，其中，90纳米本季报价已季增4%，明年首季预估再涨8%，涨势最突出。

至于28纳米、40纳米本季价格虽持平，惟受惠通讯、显示驱动IC与影像讯号处理器需求逐步回升，加上成本压力转嫁，估计明年首季报价分别上涨6%、5%；部分二线晶圆代工厂虽以低价争取55纳米、90纳米订单，惟产品组合与主流业者有所区隔，对整体价格影响有限。

Sigmaintell研判，8吋成熟制程晶圆代工市场供需更趋紧绷，来自AI伺服器所需48V高压电源管理芯片需求扩增，业者普遍掌握约半年订单能见度，且全球8吋晶圆代工产能今年、明年分别缩减6%、2%，扩产又需时间，明年首季报价可望上涨约4%，涨势有望延续至明年。

成熟制程三强抢市各拥利基

成熟制程晶圆代工市况向好，相关台厂各拥利基抢市，联电（2303）以嵌入式高压制程深耕OLED驱动芯片，力积电透过硅电容、晶圆堆叠切入AI先进封装，世界先进（5347）则掌握高压与电源管理技术，并延伸12吋布局，三家台厂各自使出浑身解数，争取AI大商机。

业界指出，联电在显示驱动芯片代工领域具有深厚基础，嵌入式高压制程（eHV）建构于逻辑CMOS平台，整合逻辑运算与高压驱动功能，支援LCD、OLED面板需求，并延伸至micro-LED、micro-OLED等新兴显示应用。

在面板朝高解析度、低功耗发展的趋势下，驱动芯片也须同步升级，联电今年5月推出14纳米eHV FinFET平台，已于南科12A厂完成验证，采用鳍式电晶体取代传统平面架构，将特殊制程向更先进节点推进，衔接既有22纳米、28纳米布局，扩大高阶显示驱动芯片竞争优势。

力积电的策略是将成熟制程能力延伸至先进封装，透过12吋整合型被动元件（IPD）平台发展硅电容，切入英特尔EMIB封装供应链。

业界说明，硅电容可整合于封装内部，改善高速运算与AI芯片电源完整性，成为公司争取高附加价值订单的重要产品。

力积电并布局晶圆对晶圆（WoW）3D堆叠，与爱普（6531）、晶豪科（3006）等业者推广边缘AI应用，同时深化与美光的DRAM制程及HBM后段晶圆制造合作，从记忆体代工延伸至3D整合，扩大参与AI供应链。

世界以高压、BCD及类比混合讯号制程为核心，涵盖电源管理、显示驱动与功率元件，相较逻辑制程着重线宽微缩，这类技术更重视耐压、电流驱动及可靠度，可因应AI伺服器、车电与工业设备不同的电源需求。

（来源：编译自经济日报）

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