国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司、华虹半导体制造（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“基于NORD闪存工艺的PIP电容结构及其制造方法”的专利，公开号CN122952619A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于NORD闪存工艺的PIP电容结构及其制造方法。所述结构包括：衬底及隔离结构；第一导电结构，位于隔离结构之上并界定出沟槽区域；绝缘介质组件，位于沟槽侧壁；第二导电结构，填充于沟槽内。所述制造方法包括：在衬底中形成隔离结构；在隔离结构上形成叠层；图案化叠层以形成沟槽；在沟槽侧壁形成绝缘介质组件；在沟槽内填充第二导电材料。本发明利用NORD工艺自对准特性，无需额外光罩，降低了制造成本，并利用隔离结构有效降低了对衬底的寄生电容，具有高密度和高可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2954次，专利信息2241条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目380次，专利信息318条，此外企业还拥有行政许可234个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息8010条，此外企业还拥有行政许可444个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员