IT时代网10月21日消息，英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片，有望采用基于 TSV 硅通孔工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。

当前一代 Groq LPU 采用大容量 SRAM 缓存设计，提供快速解码输出；但 SRAM 容量较小、制程升级密度收益有限，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras，此前已预告未来的 CS-6 将进行 3D 垂直集成 DRAM。

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注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。

编辑：林一舟