C114讯 10月21日消息（岳明）据路透社报道，多名知情人士透露，三星电子和SK海力士正在升级各自的中国工厂，以生产更先进的存储芯片。

自2022年美国开始对部分芯片制造设备实施出口管制以来，如何在华业务上进行投资，便成了这两家韩国半导体巨头所面临的一个棘手问题。

如今，两家公司若想在中国工厂安装蚀刻机等美国制造的设备，必须每年向美国申请许可。美国商务部工业与安全局（BIS）2025年曾表示，无意批准许可，让这些外国芯片厂商升级其中国工厂的技术并扩大产能。

这两家韩国芯片厂商的高管曾公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱其中国业务。

三星和SK海力士在向路透社的声明中确认，升级工作正在进行，并且是在与华盛顿方面密切磋商下推进的，但未披露这些生产计划的细节。

据知情人士透露，这两家公司正致力于在中国工厂生产层数超过200层的NAND闪存芯片，这将使它们与韩国本土的生产水平看齐。

据两名知情人士称，三星位于西安的工厂占该公司全球NAND总产量的约40%，目前生产的是约200层的NAND芯片。

作为内部代号为“Monami”的项目的一部分，三星正在对该工厂进行改造，以生产286层堆叠的V9 NAND芯片。该项目计划在今年12月实现每月5000片晶圆的产量，并到2027年12月将月产量提升至4万片晶圆。

三星表示这一升级符合美国出口管制规定，并称：“此次升级旨在满足全球客户不断增长的需求，其中包括美国客户。公司并未扩大产能，也没有新建制造设施。”

此外，SK海力士计划将其位于大连的工厂转为生产240层及以上的NAND产品。

一名知情人士称，大连工厂目前生产的是192层产品。SK海力士是在2021年收购英特尔NAND业务时获得大连工厂的。该工厂目前至今仍是这项业务的唯一NAND芯片制造基地；这项业务现已更名为Solidigm，正在筹备美国首次公开募股（IPO）。

据称，SK海力士获准在大连生产最高240层的芯片；此外，它还可能寻求美国政府的许可，在大连开展300层以上芯片的研发工作，这将有助于为未来可能在美国量产打下基础。目前，该公司正就计划在美国建设一座新的NAND工厂与特朗普政府进行商讨。

市场研究公司Omdia的数据显示，今年第二季度，长江存储在中国NAND闪存市场的份额已达到38.5%，高于2025年全年的28%，并已超越三星。相比之下，三星的市场份额从36%下滑至33.5%，SK海力士的份额则从20%降至17%。

在中国以外市场，三星销售最高达286层的NAND芯片，并于8月发布了一款层数超过400层的NAND芯片原型。SK海力士销售的NAND芯片最高达321层。

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注：本图由AI生成