据路透社报道，全球最大的两家 NAND 闪存制造商——三星电子与 SK 海力士——正在升级各自的中国工厂，目标是把产线转向供应 AI 数据中心的更先进芯片。这一动作的背景，是它们要持续应对来自长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）等中国存储厂商的追赶。

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AI 内存市场的利润足够诱人，产能天平已经倾斜：厂商削减面向消费级的产品生产，把产能腾给更先进、也更赚钱的组件。两家巨头在中国的工厂，正是这轮调整的落点。

两座工厂，两个层数目标

报道援引四名知情人士的说法称，三星电子计划在年底前把西安工厂切换为生产 286 层闪存芯片。SK 海力士的目标稍低，计划在大连工厂生产 240 层及以上的芯片，这一目标据称得到三名知情人士确认。大连工厂于 2021 年被 SK 海力士接手，但新升级的时间表尚不明确。

  • 三星西安工厂：目前生产约 200 层芯片，目标升级至 286 层，对应 V9 NAND
  • SK 海力士大连工厂：目前生产 192 层芯片，目标 240 层
  • 三星西安工厂的产量约占三星全球总产出的 40%

40% 这个数字说明西安工厂在三星 NAND 供应版图里的分量。把这样一座工厂的产线整体抬到 286 层，不是小修小补。

许可证这道关卡

两家韩国公司都绕不开美国法规。2022 年起，芯片制造设备出口管制落地，目的是放缓中国的技术进展。这意味着三星和 SK 海力士要在中国工厂安装美国制造的硬件，必须先取得许可证。

两家公司均表示正在与美国方面协商。但多一道审批，客观上拖慢了它们升级工厂、更好承接 AI 内存需求的节奏。报道把这一点列为中国厂商近期增长的原因之一。

长江存储最近在一次 IPO 筹备会议上告诉投资者，目标是到 2027 年底成为全球最大的 NAND 闪存生产商。这个时间点被明确摆上了台面。

长鑫的另一条路

中国头部芯片厂商长鑫存储则在尝试跨出 DRAM 之外。2026 年 9 月的一份报道提到，它在关注用于固态存储（SSD）产品的 3D NAND 内存生产。

作为中国最大的 DRAM 生产商，长鑫存储在 2026 年上半年录得 22.41 亿美元营收、11.57 亿美元净利润，此前它已连年亏损。但即便交出这份成绩，它的体量仍远小于三星、SK 海力士与美光。

一边是两家巨头在中国工厂里逐层往上堆叠，一边是中国厂商从 DRAM 向 NAND 伸手。层数数字背后，是 AI 数据中心订单的争夺，也是许可证审批节奏与产能爬坡速度的赛跑。