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一、EUV光刻掩模芯片制造的核心器件

极紫外（EUV）光刻掩模是先进芯片制程的核心技术，EUV光刻掩模作为光刻环节的核心部件，与传统透射式光掩模存在本质区别，采用反射式工作机制。掩模表面数百纳米级的微小高度差，直接决定极紫外光的成像效果，造成芯片成像缺陷、良率下降。

因此，对EUV掩模开展三维轮廓、台阶高度的高精度表征，是掩模研发、工艺验证以及量产质控环节必不可少的一环。

二、S neox高效检测EUV掩模微纳特征

Sensofar的S neox 3D光学轮廓仪搭载CSI干涉测量技术，专为EUV掩模这类超光滑基底上的微纳结构检测打造，其纵向分辨率最高可达0.01nm，可精准捕捉掩模表面数百纳米量级的微细结构。

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使用50倍干涉镜头测量晶圆的三维轮廓图

设备搭配50倍高倍率物镜，仅需2秒即可完成目标区域完整三维形貌采集，获取掩模表面真实三维轮廓数据。配合SensoPRO插件，无需复杂后处理，直接输出台阶高度、体积等关键计量参数。

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