国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122952635A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底内形成有源区；于衬底的一侧，形成具有第一开口的第一图形化光阻；基于第一开口，以不同注入角度对有源区进行多次离子注入，以在同一有源区内形成在第一方向上的注入区域不同的多个微气泡区；多个微气泡区中，至少部分微气泡区的离子注入深度不同；对衬底进行热处理，以使得微气泡区内产生剥离裂纹；对衬底进行清扫，以于有源区内形成凹槽；于衬底的形成有凹槽的一侧，形成栅极结构；栅极结构包括栅介质层，栅介质层填充凹槽，且栅介质层远离衬底的一侧表面平坦；于栅极结构的在第二方向上的两侧的有源区内，分别形成源区与漏区。本申请可以降低工艺复杂性。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本223464.5597万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目664次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息1871条，此外企业还拥有行政许可36个。

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作者：情报员