10月10日，长鑫存储在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，其4F²DRAM架构研发取得关键进展，被外界视为国产存储在先进制程上的一次重要突破。
然而仅仅十几天后，美国存储巨头美光科技就给这一技术路线泼了冷水。
当地时间10月21日，美光总裁兼首席技术与产品官斯科特・德波尔在年度技术研讨会上表示，美光研究4F²架构已经约20年，也造出原型产品做过比较，但最终没有选择这条路。
一个刚宣布突破，一个却说此路难通，两家在DRAM微缩方向上的分歧，就此摆上了台面。
我们要理解这场争论，得先弄清楚4F²到底是什么?
DRAM是服务器、电脑和手机里的运行内存，由晶体管控制读写、电容负责储存数据；4F²和6F²描述的是单个存储单元在晶圆上的平面占用面积，F代表工艺的最小特征尺寸。
理论上4F²单元占地更小，同样面积能塞下更多单元，不过这只是纸面上的推算，实际密度还受到电容、工艺等多重条件制约。长鑫的核心打法，是自研了一颗名为VSG（垂直包围栅）的晶体管，它把沟道竖起来、用栅极从四周包围，对电流的控制更强，从而缓解晶体管越做越小后漏电和短沟道效应的问题，同时竖放也节省了平面空间。
长鑫还在推进混合键合技术，计划2026年底推出融合4F²与混合键合的新一代DDR5 RDIMM服务器内存；
此前9月，长鑫第五代G5平台已经量产，单片晶圆的裸片产出较上一代提升至少50%。
美光不认可的理由，恰恰落在“理论”和“实际”的差距上。
德波尔认为，4F²的制造复杂度和成本都更高，更关键的是，它在先进制程下存在难以克服的物理限制。他特别指出，部分关于4F²与6F²的比较带有误导性，因为决定DRAM存储密度的，并不只是单元的平面面积，还包括电容的尺寸和间距。
哪怕晶体管排得更紧凑，电容仍要保留足够的储电能力、满足读写要求；如果电容间距没法继续缩小，单纯把6F²换成4F²，未必能换来相应的密度收益。
在他看来，4F²在较早的工艺节点上可以实现，再往下微缩就会撞到物理天花板，最终行业还是要走向3DDRAM。
基于这个判断，美光选择继续在6F²平面架构上深挖。
其路线图显示，1γ节点已经进入大规模量产，并首次在DRAM工艺中引入EUV极紫外光刻；下一代1δ节点预计2027年下半年进入量产爬坡，位密度比前代提升20%以上，并针对HBM5、垂直HBM和垂直边缘推理内存做优化；
更远的1ε节点计划采用晶圆键合，后续1ζ节点则探索高数值孔径EUV和新材料。3DDRAM也被纳入研发，与平面微缩同步推进，《日经亚洲》援引德波尔的话称，3DDRAM将采用完全垂直的结构，电容方向也会改变，只是美光尚未给出明确量产时间。
在更高价值的产品线上，美光称HBM4已进入高量产，计划2027年起陆续推进HBM4E到HBM6，NAND下一代Gen11堆叠将超过400层、2027年下半年量产爬坡。
说到底，4F²与6F²之争没有标准答案，最终要靠量产的良率、成本和性能来投票。美光的判断来自20年试错，长鑫的突破则是在先进设备受限下另辟蹊径。
对长鑫而言，真正的考验是年底那批DDR5 RDIMM能否稳定量产、能否被服务器客户接受。路线图谁都能画，能把产品大批量、低成本做出来，才是存储行业的硬实力。
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