半导体设备行业|一文带你了解2026.10.17-2026.10.23半导体设备行业新闻
1.中微公司全球首台高选择性刻蚀设备正式付运，支撑 3D 器件工艺突破
10 月 22 日，中微公司官宣 Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台交付国内重点集成电路研发客户。该设备面向 GAA、3D NAND、3D DRAM 等三维芯片制造，实现 SiGe/Si 大于 700:1 超高选择比，可在纳米尺度精准去除目标材料、保护周边薄膜结构。设备采用全对称腔体、脉冲气体精密调控、双温区晶圆基座等设计，解决国内下一代三维存储、先进逻辑器件关键刻蚀卡点，填补国产高选择刻蚀装备空白，对多重模板工艺、堆叠存储扩产具备重要支撑作用，也是国产刻蚀设备向更高工艺台阶迈进的标志性产品。
2.拓荆科技 25 亿元收购尚积半导体，补齐 PVD 实现薄膜沉积全赛道布局
10 月 15 日晚间拓荆科技发布重组公告，拟发行股份加现金收购无锡尚积及相关持股平台 100% 股权，交易对价 25 亿元，配套募资 18.2 亿元用于研发与产能建设。拓荆原有产品覆盖 PECVD、ALD、Gap-Fill CVD，收购尚积后新增 PVD 磁控溅射产品线，完成前道主流薄膜沉积工艺全覆盖。标的在手订单约 6.51 亿元，同时设置 2026 至 2028 年业绩承诺。本次是国内半导体设备企业强强整合，减少同业竞争，形成一站式薄膜沉积方案能力，有望加速在存储、先进逻辑产线批量导入，提升与海外薄膜设备厂商竞争能力。
3.北方华创 4.05 亿元收购诺合键维，补强半导体精密配套设备板块
10 月 15 日，北方华创微电子公告以 4.0456 亿元现金收购诺合键维 100% 股权。诺合键维深耕半导体工艺配套、精密真空与流体控制装备领域，产品匹配刻蚀、沉积、热处理等前道设备配套需求。本次收购是北方华创持续完善装备生态的重要动作，强化整机配套自研自给率，降低外部零部件供应链波动风险。公司后续将推动技术融合，把配套产品融入现有整机验证体系，加快配套设备国产化替代节奏，服务国内多条 12 英寸产线扩产，同时提升整套设备交付、售后协同能力。
4.三星为美国泰勒晶圆厂追加设备采购，目标 2027 下半年满产
10 月 23 日韩媒消息，三星晶圆代工向泰勒首座工厂追加采购对应月产 6000 片晶圆产能的制造设备。该工厂设计月产能 2 万片，当前产能尚未达标，新增设备自年底逐步进场调试，预计 2027 下半年实现满产。三星同时规划 11 月启动泰勒第二座晶圆厂土建，计划 2030 年投产。受地缘因素驱动，三星持续加码美国本土先进制程产能，带动刻蚀、沉积、清洗、离子注入等设备订单释放，同时设备交付周期拉长、排期紧张，海外设备厂商产能压力持续抬升，国内设备厂商也持续跟进海外供应链验证机会。
5.泛林集团新财季营收创新高，但业绩指引不及预期引发股价下跌
10 月 21 日美股盘后，泛林集团披露 2027 财年首季财报，受益 AI 算力芯片、HBM 配套存储扩产，刻蚀与沉积设备需求旺盛，营收、毛利率、净利润全部创下历史新高。不过公司给出下一财季业绩指引仅小幅高于市场预期，未能满足资本市场对 AI 设备持续爆发的乐观预判，盘后股价大跌近 7%。机构解读认为，虽然先进制程设备需求稳健，但存储厂商资本开支节奏分化，叠加出口管制政策不确定性，拉长部分订单交付周期。泛林作为全球刻蚀龙头，其订单变化是全球晶圆厂设备资本开支重要风向标。
6.佳能规划后端光刻机产能提升 50%，瞄准先进封装大基板光刻市场
10 月 22 日佳能对外披露产能规划，计划至 2029 年将面向先进封装的后端光刻机产能提升 50%。佳能重点开发 i 线光刻设备，以及适配 510mm×515mm 超大基板、分辨率 0.8μm 的封装光刻平台，主打高对准精度、大视场曝光能力，适配 2.5D/3D 封装、面板级封装工艺。当前先进封装成为算力芯片核心赛道，基板尺寸持续放大，传统光刻设备适配性不足。佳能避开 EUV 赛道，聚焦封装光刻差异化市场，持续抢占安靠、长电、通富等封测厂设备订单，也和国内封装光刻设备厂商形成直接竞争。
7.三星、SK 海力士拟升级国内工厂，布局 200 层以上 3D NAND 产线
10 月 22 日行业消息，三星与 SK 海力士计划升级中国大陆存储工厂，推进 200 层以上超高堆叠 3D NAND 量产，抢抓 AI 服务器存储需求。两家韩厂将对刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测设备分批更新改造，提升深孔刻蚀、多层薄膜堆叠工艺能力。随着国产长江存储持续迭代堆叠层数，韩厂加速国内产线技术迭代巩固市场份额。该扩产计划将带来一批成熟制程存储设备更新招标，成熟制程设备采购门槛相对更低，给国内刻蚀、清洗、薄膜设备企业带来验证和导入机会，国产化竞争进一步加剧。
8.英特尔 Fab62 进入设备进场安装阶段，预计 2028 年初投产
近期英特尔对外更新 Fab62 建设进度，厂区土建完工，全面转入生产设备进场、管路联调阶段，目标 2028 年初实现投产。Fab62 面向英特尔下一代先进逻辑制程，配套 AI 芯片代工需求，是英特尔 IDM 模式本土扩产关键项目。项目采购包含刻蚀、沉积、光刻、离子注入、CMP、量测检测等全品类前道设备，海外头部设备厂商拿到绝大部分订单。英特尔持续加码自有先进产线，带动全球高端设备需求，同时严格管控供应链，国内设备厂商仅少量配套设备进入前期工艺评估环节，高端制程设备导入门槛依然较高。
9.罗博特科子公司 ficonTEC 硅光设备订单高增，CPO 拉动组装检测设备需求
10 月中下旬罗博特科在机构交流中披露，子公司 ficonTEC 在手订单超 11 亿元，已拿到海外纳斯达克客户 6 亿元硅光量产设备大单。ficonTEC 设备运动定位精度可达 5 纳米，面向硅光、CPO 光引擎高精度贴装、耦合、检测工艺，是全球少数量产级硅光组装设备供应商。AI 算力持续拉动光互联需求，CPO 从研发走向小规模量产，光芯片封装、耦合测试设备进入需求上行周期。公司同步在中德爱沙尼亚三地扩产，拉动国内精密运动控制、光学检测配套零部件需求，国内同类设备厂商同步加速对标研发。
10.联讯仪器推进 H 股上市，测试设备企业加速全球化布局
10 月中下旬，测试设备厂商联讯仪器公告董事会通过 H 股发行上市方案，计划登陆港交所主板。联讯主营半导体测试机、探针台、老化测试系统，覆盖功率器件、模拟芯片、存储芯片测试场景，在国内功率半导体测试设备市场份额位居前列。公司表示募资将用于海外技术中心建设、海外客户拓展、高端测试设备研发。随着国内功率、车规芯片出海，配套测试设备同步需要本地化技术支持，赴港上市有利于海外融资、海外市场拓展。测试设备国产化进度慢于刻蚀沉积，头部企业出海有望带动国产测试设备进入海外 IDM 产线验证。
11.微导纳米发布全新 PVD 磁控溅射设备，完善薄膜沉积产品矩阵
10 月 18 日微导纳米对外发布 iMagtron 系列 PVD 磁控溅射设备，同步推出 iTomic MeT 平台钌原子层沉积新工艺。钌薄膜是先进逻辑、HBM 金属互联关键材料，对薄膜均匀度、连续性、台阶覆盖性要求极高。此前微导纳米以 ALD 设备为主，新增 PVD 后同时覆盖 ALD、CVD、PVD 三大主流薄膜路线，可向客户提供配套薄膜工艺解决方案。设备面向 12 英寸晶圆，适配先进封装、存储、逻辑多条工艺路线，目前已经送多家国内晶圆厂工艺验证。国内薄膜赛道企业持续横向扩品类，降低晶圆厂单一供应商依赖。
12.拓荆科技发布非晶碳填充薄膜工艺，适配先进存储高深宽比填充
10 月 17 日，拓荆科技发布 Flowable Carbon 可流动非晶碳薄膜工艺，搭载 NF-300M Supra-H 沉积设备，分化 Capi-Carbon、Sedi-Carbon 两类不同填充特性方案。非晶碳是 3D NAND、先进逻辑多重光刻工艺中核心硬掩膜材料，用于高深宽比缝隙填充。随着存储堆叠层数提升，传统填充材料出现孔隙、填充不良等良率问题，可流动碳膜具备更好的间隙填充能力。该工艺已经进入国内头部存储厂工艺评估阶段，若通过验证，将进一步提升拓荆在存储薄膜设备市场份额，减少对海外同类设备依赖。
13.华海清科 iHQ-900E 中束流离子注入机持续验证，整机国产化率 95.6%
10 月 17 日消息，华海清科 iHQ-900E 中束流离子注入机推进客户端量产验证，整机国产化率 95.6%，目标 2027 年实现 100% 自研配套。离子注入用于晶圆掺杂改性，是前道核心工艺，长期由海外厂商主导。这款设备重点优化注入剂量均匀性、离子角度控制，配套自主工艺控制软件，适配功率器件、成熟逻辑芯片、存储芯片制造。华海清科依托 CMP 设备的客户基础，同步导入离子注入新品，实现抛光、注入双核心设备协同推广。离子注入设备验证周期长，稳定量产将补齐国产前道一大短板。
14.中微 MOCVD 设备进入韩国功率半导体厂验证，海外验证持续突破
10 月 16 日韩媒报道，中微公司 MOCVD 外延设备进入 SK 启方半导体、美格纳半导体开展工艺测试，主要面向碳化硅、氮化镓功率器件外延工艺。本次仅处于工艺验证阶段，距离正式量产订单仍需要多轮良率、稳定性考核。海外功率 IDM 厂商对设备良率、维护体系要求严苛，国产 MOCVD 此前主要供应国内功率厂，进入韩国头部厂商验证名单代表产品性能获得初步认可。功率半导体受益新能源车、光伏需求，MOCVD 设备需求持续上行，若验证通过将打开国产 MOCVD 设备出海空间。
15.SEMI 更新预测：2026 全球半导体设备销售额将达 1659 亿美元，同比增 23.2%
10 月 20 日 SEMI 发布最新市场展望，上调全年全球半导体制造设备规模至 1659 亿美元，同比增长 23.2%，并预判景气持续至 2028 年。增长动力主要来自 AI 算力芯片配套逻辑产线、HBM 及 3D NAND 存储扩产、功率半导体投资。分品类看，刻蚀、薄膜沉积设备增速领跑，检测、清洗设备紧随其后。同时 SEMI 提示，地缘管制、设备交期拉长、零部件短缺是行业主要风险。国内市场占比持续提升，国产设备凭借成本、快速服务优势，在成熟制程持续上量，但高端先进制程设备份额仍偏低，替代节奏循序渐进。
16.英伟达联合安靠、三星电机等伙伴扩产，拉动先进封装设备需求
10 月 22 日英伟达官宣与安靠、三星电机、多家基板厂商签订产能扩容协议，覆盖封装基板、2.5D 封装、光学检测、芯片测试环节。英伟达 AI 芯片产能瓶颈逐步转移到封装环节，HBM、CoWoS 封装产能紧张，倒逼封测厂新增倒装、键合、微凸点检测、基板光刻设备。先进封装设备赛道热度快速提升，设备品类多、细分工艺复杂，海外设备厂商先发优势明显。国内长电、通富、华天同步扩产，带动国产封装设备、检测设备验证提速，封装设备成为继前道设备之后国产化重点攻坚方向。
17.喜悦半导体功率半导体项目落地呼和浩特，配套产线设备招标启动
10 月 19 日总投资 5.58 亿元喜悦半导体功率半导体项目签约落地呼和浩特，规划建设功率器件晶圆产线，聚焦 IGBT、SiC 器件制造。项目落地后将分批开展刻蚀、沉积、离子注入、清洗、测试等设备招标，优先考虑具备成熟制程验证的国产设备厂商。国内各地持续加码功率半导体产业，成熟制程产线投资门槛相对可控，是国产设备放量的核心场景。功率器件面向车规、光伏储能，客户对设备稳定性、售后响应速度要求高，也是国产设备企业打磨产品、积累量产数据的重要赛道。
18.晶盛机电 8 英寸碳化硅衬底规模化出货，配套长晶设备订单持续释放
10 月 23 日晶盛机电在互动平台回复，公司 6-8 英寸碳化硅衬底已经实现规模化量产销售，8 英寸产品国内领先，12 英寸小批量供货，同时马来西亚工厂加速投产。碳化硅长晶炉是核心设备，晶盛自研长晶设备随衬底扩产同步迭代，也对外向衬底企业销售长晶装备。新能源车、光伏逆变器拉动 SiC 需求，上游衬底厂持续扩产带动长晶、切割、研磨、抛光、检测设备需求。碳化硅设备壁垒和硅基设备差异较大，国内厂商持续攻关热场控制、晶体缺陷检测技术，赛道资本开支热度居高不下。
19.国内 12 英寸产线零部件招标加速，真空泵、射频电源、MFC 国产化订单增加
10 月 19 日多份产线招标信息显示，国内多家 12 英寸晶圆厂启动设备零部件年度框架招标，射频电源、真空干泵、质量流量控制器 MFC、静电卡盘 ESC、PFA 流体管路等零部件国产化采购比例提升。前道设备零部件是国产替代的薄弱环节，晶圆厂为保障供应链安全，逐步在备件、新设备配套中导入国内零部件厂商。零部件验证周期短于整机，是供应链安全建设优先环节。多家零部件企业订单增速高于整机，不过高端耐腐蚀、高稳定性零部件仍需要持续迭代，良率、寿命对标海外仍有差距。
20.芯德半导体通过港交所聆讯，先进封装设备配套需求同步打开
10 月 23 日港交所披露，江苏芯德半导体顺利通过聆讯，即将登陆港股主板。芯德聚焦先进封装，布局 2.5D 封装、Chiplet 封装业务，本次募资计划用于先进封装产线扩产，后续将采购倒装键合机、等离子清洗设备、光学检测、塑封等封装设备。国内 Chiplet 产业进入落地期，大量封测企业扩产，带动封装设备市场扩容。相较于前道设备，先进封装设备国产化起步更早、导入速度更快，国内设备厂商在固晶、键合、等离子清洗、外观检测等细分赛道已经实现批量供货，伴随本土封测企业上市扩产持续受益。
三氟莱，高纯氟塑料制品生产厂家，半导体工厂高纯PFA管供应商。
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