国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“金属栅的形成方法”的专利，公开号CN122970970A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种金属栅的形成方法，属于半导体技术领域，该金属栅的形成方法，包括提供在晶圆表面绝缘介质层内形成有栅凹槽的晶圆；在栅凹槽内依次沉积高K栅介质层、功函数层和阻挡层；在栅凹槽内填充金属层；采用化学机械研磨的方式去除绝缘介质层表面的高K栅介质层以及高K栅介质层上的其他介质层；至少再进行一次化学机械研磨，使得金属栅的厚度到第一预设厚度；再沉积第二预设厚度的绝缘介质层；在绝缘介质层上形成对应于栅凹槽图案的掩模层；以掩模层图案，去除金属栅上的绝缘介质层。通过采用CMP工艺替代干法刻蚀工艺，对金属栅的高度进行调节，再沉积绝缘介质补足后通过干法刻蚀打开金属栅区域，消除干法刻蚀等离子体对金属栅的损伤。

天眼查资料显示，杭州积海半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1225000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目594次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息156条，此外企业还拥有行政许可21个。

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作者：情报员