国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于半导体制造的等离子体增强处理以及相关处理腔室、方法及系统”的专利，公开号CN122972164A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开案涉及用于半导体制造的等离子体增强处理以及相关处理腔室、方法及系统。在一或多个实施方式中，一种基板处理的方法包括点燃等离子体，使沉积前体流动以与此等离子体相互作用，及使此沉积前体流过定位于处理空间中的基板以在此基板上形成层。此方法包括将此处理空间保持在小于100 mTorr的压力下，且将此基板加热到500摄氏度或更低的目标温度。

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作者：情报员