国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN122970981A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底；衬底包括第一限位槽、第二限位槽；于衬底的顶面形成第一保护层，并至少对第一限位槽和第一有源区之间的拐角进行圆化处理；于衬底的第一有源区内形成第一阱，及于衬底的第二有源区内形成第二阱后，去除第一保护层；第一阱和第二阱分别用于制备不同电压幅值的晶体管，第一限位槽的底面和第二限位槽的底面的高度差与电压幅值相关；及形成第一栅结构的过程中，形成第一限位结构，形成第二限位结构，及形成第二栅结构，第一有源区的顶面与第二有源区的顶面的高度差与电压幅值相关。至少能提高半导体器件的性能。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本223464.5597万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目666次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息1876条，此外企业还拥有行政许可36个。

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作者：情报员